YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo di Thyristor.> Corrente di perdita bassa 120A 1600 V Modulo tiristore
Corrente di perdita bassa 120A 1600 V Modulo tiristore
Corrente di perdita bassa 120A 1600 V Modulo tiristore
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Corrente di perdita bassa 120A 1600 V Modulo tiristore
Corrente di perdita bassa 120A 1600 V Modulo tiristore
Corrente di perdita bassa 120A 1600 V Modulo tiristore

Corrente di perdita bassa 120A 1600 V Modulo tiristore

$19.250-499 Piece/Pieces

$15.2≥500Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-SK120KQ16

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VRRM1600V

VDRM1600V, 1700V

VDSM1700V

IRRM5mA

IT(AV)90A

IT(RMS)145A

ITSM2100A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
Modulo di tirista SK120KQ16
Descrizione del prodotto
120A 1600V Modulo tiristano
A norma RoHS
YZPST-SK120KQ16
CARATTERISTICHE DEL PRODOTTO
Design compatto
Un montaggio a vite
Trasferimento di calore e isolamento tramite DBC
Passivazione del vetro chips a tiristore
Corrente di perdita bassa
Applicazioni
Antipasti morbidi
Controllo della temperatura

Controllo della luce

YZPST-SK120KQ16-1

Valutazioni massime assolute (TC = 25 ° C se non diversamente specificato)

Symbol Parameter Test Conditions Values Unit
VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1600 V
VDRM Maximum repetitive peak off-state voltage
VRSM Non-Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1700 V
VDSM Non-repetitive peak off-state voltage
IRRM Maximum Repetitive Reverse Current Tvj=125 5 mA
IDRM Maximum repetitive peak off-state Current
IT(AV) Mean On-state Current TC=85 90
IT(RMS) RMS Current TC=85, sin180 145 A
ITSM Non Repetitive Surge Peak On-state Current 10ms, Tj=25 2100
I2t For Fusing 10ms, Tj=25 20000 A2S
VTM Peak on-state voltage ITM=300A 1.8 V
dv/dt critical rate of rise of off-state voltage VD =2/3VDRM   Gate Open Tj=125 1000 V/us
IGT gate trigger current     max. 80 mA
VGT gate trigger voltage     max. 1.5 V
IH gate trigger current 250 mA
IL latching current 300 mA
Viso AC   50Hz   RMS    1min 2500 V
TJ Junction Temperature -40 to +125
TSTG Storage Temperature Range -40 to +125
RthJC Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) 0.35  /W
Torque mounting force, Module to Sink 2 Nm
Tsolder Teminals,10s 260

Ou tlines

Outlines

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苏ICP备05018286号-1
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