Regolatore di potenza a tiristori C712L KT55CT

Regolatore di potenza a tiristori C712L KT55CT

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Caratteristiche del prodotto

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Modello: YZPST-C712L

marchio: YZPST

私域 C712L 截取视频 15 秒 1-2.1MB

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Descrizione del prodotto

TIRISTORE AD ALTA POTENZA PER APPLICAZIONI INVERTER E CHOPPER

YZPST-C712L

Caratteristiche:

. Tutta la struttura diffusa

. Center Amplifying Gate Configuration

. Capacità di blocco fino a 2100 volt

. Tempo di spegnimento massimo garantito

. Alta capacità dV / dt

. Dispositivo assemblato a pressione

Blocco - Stato spento

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
2000	2000	2100

V _RRM = Tensione inversa di picco ripetitiva

V _DRM = Tensione ripetitiva di picco disattivata

V _RSM = Tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

90 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

800 V/msec

Appunti:

Tutti i rating sono specificati per Tj = 25 ^o C a meno che

diversamente indicato.

(1) Tutti i valori nominali di tensione sono specificati per un'applicazione applicata

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 ^o C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 ^o C.

(4) Valore minimo per lineare ed esponenziale

wavehape all'80% valutato V _DRM . Cancello aperto.

Tj = 125 ^o C.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità

con standard EIA / NIMA RS-397, sezione

5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta

zione rispetto a quella ottenuta da un circuito snubber,

comprendente un condensatore da 0,2 mF e 20 ohm

resistenza in parallelo con il thristor sotto

test.

Conduzione - sullo stato

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)		1185		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=80^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		1700		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 18500		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.66x10⁶		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		-		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		1.45		V	I_TM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; T_j =1 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		100		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 120 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		20		V

Dinamico

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		-	0.7	ms	I_TM = 50 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		40	-	ms	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		*		mC	I_TM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms; V_R ³ -50 V

CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI TERMICHE E MECCANICHE

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+125		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		0.023 -		^oC/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		0.0075 -		^oC/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	22.2	26.6		kN
Weight	W			-	g	About