YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori
Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori
Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori
Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori
Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori

Tiristore con gate amplificante 25a moduli tiristori

$2.2100-999 Bag/Bags

$1.85≥1000Bag/Bags

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-SG25AA60

marchioYzpst

Tipo Di FornituraProduttore originale, ODM, Agenzia, Rivenditore

Materiali Di Riferimentoscheda dati, Foto

ConfigurazioneVettore

Ripartizione CorrenteNon applicabile

Attesa Di Corrente (Ih) (massimo)Non applicabile

Stato Di Spegnimento (massimo)Non applicabile

Numero SCR, DiodoNon applicabile

Temperatura Di Esercizio-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Tipo SCRRipristino standard

StrutturaNon applicabile

Tensione AttivaNon applicabile

Trigger Gate Di Tensione (Vgt) (massimo)Non applicabile

Uscita In Corrente (massima)Non applicabile

IT(AV)25A

ITRMS39A

ITSM0.45kA

I2t1.04kA2S

VDRM/VRRM600V

Di/dt100A/us

Viso2000V

Tj-40 ~ + 125℃

Tstg-40 ~ + 125℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Bag/Bags
Scaricare :
Descrizione del prodotto

Moduli T Hyristor

YZPST- SG25AA60

Caratteristiche
Trasferimento di calore tramite piastra di base in metallo in ceramica a nitruro di alluminio
Contatti preziosi per la pressione metallica per alta affidabilità
Tiristore con cancello di amplificazione

Applicazione tipica s

· Controllo del motore CC

· Controllo della temperatura

· Dimmio alla luce professionale


Valutazioni massime

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)

Single phase half wave sin 180° conduction ;TC=70°C

25

A

ITRMS

Single phase half wave sin 180° conduction

39

A

ITSM

Tj= Tj MAX

0.45

kA

I2t

Tj= Tj MAX

1.04

kA2S

VDRM/VRRM

Tj= Tj MAX

600

V

di/dt

non-repetitive

100

A/us

Viso

A.C. 1minute/1S

2000

V

Tj

 

-40   ~    + 125

°C

Tstg

 

-40   ~    + 125

°C

W

About

23

g

Caratteristiche elettriche

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM Single phase half wave Tj= Tj MAX

5

mA

VTM

On-State Current 78A Tj=25°C

1.40

V

VT(TO)

Tj= Tj MAX

-

V

T

Tj= Tj MAX

-

mΩ

RK1G1

 

-

Ω

RK2G2

 

-

Ω

tgd

Tj=25°C;VD=0.4VDRM ; ITM=ITAV

-

us

tq

dvD/dt=50V/us; Tj= Tj MAX; ITM=ITAV

-

us

IGT/VGT

Tj=25°C IT=1A VD=6V

40 / 3.0

mA/V

VGD

VD=67%VDRM

0.2

V

DV/DT

VD=67%VDRM

100

V/us

IH

Tj=25°C

30

mA

IL

Tj=25°C

-

mA

Rth(j-c)

Thermal resistance Junction to case; per module

1.6

°C /W

Rth(c-h)

Thermal resistance case to heatsink; per module

-

K/W


Disegno del contorno


Thyristor with amplifying gate 25A thyristor modules







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