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2800V N2055MC280 tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo delle fasi

P/N: YZPST-N2055MC280 Tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo delle fasi Caratteristiche: . Tutta la struttura diffusa . Configurazione del gate di amplificazione centrale . Tempo massimo di consegna garantito . Alta funzionalità...

1N5399 DO-15 diodi incapsulati in plastica diodi raddrizzati

DIIDI ACPECOLARE DI PLASCA DO-15 1N5391 a 1N5399 Diodi di raddrizzatore per scopi generici Caratteristiche If (av) 1.5a VRRM 50V-1000V Capacità di corrente elevata Polarità: Color Band indica il catodo Applicazioni Rettificatore Marcatura 1N539X X:...

ALTA SULLA CAPASIONE DELLA SUGGERIMENTO 30A RATTURIO DI BARRIERA

30A Schottky Barrier Rectifier YZPST-MBRD30100CT Caratteristiche: Bassa perdita di potenza, alto efficienza. Alta capacità di aumento Per uso in bassa tensione, ALTA FUNCITÀ F REQUENCY INVERTERS, RUBILITÀ E PROTEZIONE DELLA POLITÀ applicazioni ....

Commutazione rapida a 263 7N90A0 MOSFET di potenza N-canale silicio

Mosfet di potenza N-canale del silicio P/N: YZPST-7N90A0 Descrizione generale: YZPST-7N90A0 I VDMOSFET migliorati dal silicio N-canale, è ottenuto dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni...

Creazione DV/DT elevata a-92 0,8a SCR

YZPST-BT169 Scr DESCRIZIONE: La serie BT 1 6 9 SCR fornisce una velocità DV/DT elevata con una forte resistenza all'interfaccia elettromagnetica. Sono particolarmente raccomandati per l'uso sull'interruttore di corrente residua, i...

Lato posteriore del metallo multistrato fino-92 mac97a8 triac

P/N: YZPST-MAC97A6 97A8 TRIACS Caratteristica Dispositivi TRIACS di silicio come design sensibile Tipo p attraverso la diffusione isolata Tecnologia Mesa-Passivated in vetro Retro del metallo multistrato Applicazione tipica Controller di...

BT134 TRIAC TO-126 Applicazione dell'unità IC direttamente

Pacchetto BT134 TRIAC TO-126 Caratteristiche del prodotto P+ sull'isolamento di diffusione attraverso attraverso Struttura singola Mesa (singolo MESA), Processo di passivazione del vetro del tavolo, Gate Logic Level Trigger Applicazione...

1800v SKD82-18 Modulo raddrizzatore a ponte

Raddrizzatore del ponte YZPST-SKD82-18 Disegno del contorno (dimensioni in mm)

Modulo da 62 mm con trench veloce/fieldstop IGBT e diodo di ripristino veloce

P/N: YZPST-P150HFN120AT1R6 Modulo da 62 mm con trincea rapida/fieldstop Igbt e Veloce Recupero Diodo Caratteristiche ■ Perdite di commutazione basse ■ basso vcesal ■ VCE basso (SAT con coefficiente di temperatura positivo Applicazioni ■ Drive...

Performance di commutazione elevate 600V BTA212X-600D 12A TRIAC

BTA212 12A TRIACS YZPST-BTA212X-600D DESCRIZIONE: Con l'elevata capacità di resistere al carico di shock di una grande corrente, i triaci della serie BTA212 forniscono una velocità DV/DT elevata con una forte resistenza all'interfaccia...

Capacità di aumento di corrente molto alta S4050 40A SCR TO-220F

P/N: YZPST-S4050 40A SCRS CARATTERISTICHE Alte prestazioni di ciclismo termico capacità di tensione di lhigh Capacità di aumento di corrente molto alta Applicazioni RECTIFICAZIONE DELLA LINEA 50/60 Hz Controllo del motore AC LsoftStart Controllo del...

TO-220F BTA216X-600B TRIAC ha buone prestazioni a DV/DT e affidabilità

Triacs bta216x-600b Desscription: A causa della passione di vetro di separazione, questi dispositivi hanno bene Prestazioni a DV/DT e affidabilità. La serie TRIAC è adatta per SCUSSAZIONE AC AC. Possono essere usati come on-off funzione nelle...

Commutazione rapida Mosfet di potenza N-channel da 500 V

P/N: YZPST-SP13N50KF Mosfet di potenza a canale N 500v CARATTERISTICHE Commutazione rapida 100% di valanga testata Capacità DV/DT migliorata Applicazioni Switch Modal Alimentatore (SMPS) Alimentazione ininterruttuabile (UPS) Correzione del fattore...

1600V 83A SKD83-16 RATCHIRE DI PROGETTO POWER

Rettificatori del ponte di potenza Tipo: YZPST-SKD83-16 1600V 83A SKD83-16 RATCHIRE DI PROGETTO POWER, RATCHIRE DI PROGETTO DELLA POTENZA 83A Disegno del contorno (dimensioni in mm)

Capacità di aumento dell'alto 1600 V Modulo diodo raddrizzatore MDC160

Modulo diodo rettificatore P/N: YZPST-MDC160-16 Caratteristiche: - piastra di base isolata elettricamente - alta capacità di aumento - giunti saldati duri per alta affidabilità Applicazioni tipiche: - raddrizzatori non controllati per convertitori...

Creazione DV/DT elevata fino a 126 2p6m 2A Sensibile SCR

2p6m 2 a Sensibile SCRS DESCRIZIONE: La serie 2A 2A SCR fornisce una velocità DV/DT elevata con una forte resistenza all'interfaccia elettromagnetica. Sono particolarmente raccomandati per l'uso sull'interruttore di corrente residua, i...

Tensione di blocco elevato M1A080120L1 TO-247-4 N-Canale SIC Power Mosfet

Mosfet di potenza SiC di N-Canale P/N: YZPST-M1A080120L1 Caratteristiche Alta tensione di blocco con bassa resistenza Commutazione ad alta velocità con bassa capacità Facile da parallelo e semplice da guidare Benefici Maggiore efficienza del sistema...

MK5050 MK5050 MK5050 MK5050 MK5050 Modulo di bypass per PV

Modulo diodo bypass per PV P/N: YZPST-MK5050 Tensione inversa: 50 V. Corrente in avanti: 50 a CARATTERISTICHE Metal of Silicon Rectifier, Conduzione del vettore di maggioranza Anello di guardia per protezione transitoria Bassa perdita di potenza,...

Protezione da cella solare da 50A Fotovoltaic RECTIFICATORE SCHOTTKY MODULO DIODO DI BYPASS SCHOTTKY

Recutificatore Schottky di protezione delle celle solari fotovoltaiche YZPST-S4050 CARATTERISTICHE ● Bassa perdita di potenza ● Calco di tensione a bassa tensione ● Elevata capacità di sovratensione in avanti ● Alta efficienza APPLICAZIONI TIPICHE...

Alta efficienza 45V MK4045 MODULO DIODO DI BYPASS SCHOTTKY

Modulo diodo bypass per PV P/N: YZPST-MK4045 CARATTERISTICHE Metal of Silicon Rectifier, Conduzione del vettore di maggioranza Anello di guardia per protezione transitoria Bassa perdita di potenza, alta efficienza Capacità ad alta corrente, bassa IR...

Caso a bassa induttanza 600HFX170C6S 1700V 600A Modulo IGBT

Modulo IGBT YZPST-600HFX170C6S 1700V/600A 2 in un pacchetto Descrizione generale Il modulo di potenza IGBT fornisce ultra Bassa perdita di conduzione e robustezza del corto circuito. Sono progettati per le applicazioni come Inverter e UPS generale....

YZPST Brand IGBT All-in-One Water-Bolled Diskink Plate Piastra di dissipatore di calore raffreddato tutto in uno IGBT YZPST-280x115x36mm Per ulteriori informazioni sulla piastra di calore, scaricare il file PDF sopra chiamato "YZPST IGBT, MOS,...

TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel

MOSFET FQP3P50 P/N: YZPST-FQP3P50 Desscription: FQP3P50 è una potenza di potenziamento del canale P-Canale MOSFET. Questo MOSFET di potenza viene solitamente utilizzato ad alta velocità Alimentatori in modalità commutazione, amplificatore audio DC...

TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16

Transistor al silicio PNP YZPST-BD140-16 TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16 DESCRIZIONE Il BD140-16 è Transistor PNP planari epitassiali di silicio Nel pacchetto di...