YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo IGBT> Caso a bassa induttanza 600HFX170C6S 1700V 600A Modulo IGBT
Caso a bassa induttanza 600HFX170C6S 1700V 600A Modulo IGBT
Caso a bassa induttanza 600HFX170C6S 1700V 600A Modulo IGBT
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Caso a bassa induttanza 600HFX170C6S 1700V 600A Modulo IGBT

$1905-99 Piece/Pieces

$140≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,Paypal,T/T
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Express,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-600HFX170C6S

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VCES1700V

VGES±20V

ICM1200A

PD4166W

VRRM1700V

IF600A

IFM1200A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Esempio immagine :
Scaricare :
Modulo IGBT GD600HFX170C6S
Descrizione del prodotto
Modulo IGBT YZPST-600HFX170C6S

1700V/600A 2 in un pacchetto

Descrizione generale
Il modulo di potenza IGBT fornisce ultra
Bassa perdita di conduzione e robustezza del corto circuito.
Sono progettati per le applicazioni come
Inverter e UPS generale.

YZPST-GD600HFX170C6S
Caratteristiche
. Tecnologia IGBT a bassa VCE (SAT)
. Capacità di cortocircuito 10 μs
. VCE (SAT) con coefficiente di temperatura positivo
. Temperatura di giunzione massima 175OC
. Caso a bassa induttanza
. Recupero inverso rapido e morbido FWD anti-parallelo
. Piastra di base di rame isolata usando la tecnologia DBC

Applicazioni tipiche
. Inverter per l'unità del motore
. Amplificatore AC e DC Servo Drive
. Alimentazione ininterrotto

IGBT

Symbol

Description

Value

Unit

VCES

Collector-Emitter Voltage

1700

V

VGES

Gate-Emitter Voltage

±20

V

IC

Collector Current   TC=25oC

 TC= 100oC

1069

600

A

ICM

Pulsed Collector Current  tp=1ms

1200

A

PD

Maximum Power Dissipation   T =175oC

4166

W

Diodo

Symbol

Description

Value

Unit

VRRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

1700

V

IF

Diode Continuous Forward Current

600

A

IFM

Diode Maximum Forward Current  tp=1ms

1200

A

Modulo

Symbol

Description

Value

Unit

Tjmax

Maximum Junction Temperature

175

oC

Tjop

Operating Junction Temperature

-40 to +150

oC

TSTG

Storage Temperature Range

-40 to +125

oC

VISO

Isolation Voltage  RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

IGBT Caratteristiche TC = 25oc se non diversamente indicato

Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
IC=600A,VGE=15V, Tj=25oC 1.85 2.2
VCE(sat) Collector to Emitter IC=600A,VGE=15V, Tj=125oC 2.25 V
Saturation Voltage IC=600A,VGE=15V, Tj=150oC 2.35
VGE(th) Gate-Emitter Threshold Voltage IC= 12.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC 5.6 6.2 6.8 V
ICES Collector Cut-Off VCE=VCES,VGE=0V, 5 mA
Current Tj=25oC
IGES Gate-Emitter Leakage Current VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC 400 nA
RGint Internal Gate Resistance 1.3 Ω
Cies Input Capacitance VCE=25V,f=1MHz, 72.3 nF
Cres Reverse Transfer VGE=0V 1.75 nF
Capacitance
QG Gate Charge VGE=- 15…+15V 5.66 μC
td(on) Turn-On Delay Time 170 ns
tr Rise Time 67 ns
td(off) Turn-Off Delay Time VCC=900V,IC=600A,  RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj=25oC 527 ns
tf Fall Time 138 ns
Eon Turn-On Switching 154 mJ
Loss
Eoff Turn-Off Switching 132 mJ
Loss
td(on) Turn-On Delay Time 168 ns
tr Rise Time 80 ns
td(off) Turn-Off Delay Time VCC=900V,IC=600A,  RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC 619 ns
tf Fall Time 196 ns
Eon Turn-On Switching 236 mJ
Loss
Eoff Turn-Off Switching 198 mJ
Loss
td(on) Turn-On Delay Time 192 ns
tr Rise Time 80 ns
td(off) Turn-Off Delay Time VCC=900V,IC=600A,  RG= 1.0Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC 640 ns
tf Fall Time 216 ns
Eon Turn-On Switching 259 mJ
Loss
Eoff Turn-Off Switching 215 mJ
Loss
tP≤10μs,VGE=15V,
ISC SC Data Tj=150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V 2400 A
Dimensioni del pacchetto

YZPST-GD600HFX170C6S(7)

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