YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo IGBT> Capacità ad alta cortocircuito 10US 1200V Modulo IGBT 450A
Capacità ad alta cortocircuito 10US 1200V Modulo IGBT 450A
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Capacità ad alta cortocircuito 10US 1200V Modulo IGBT 450A
Capacità ad alta cortocircuito 10US 1200V Modulo IGBT 450A
Capacità ad alta cortocircuito 10US 1200V Modulo IGBT 450A

Capacità ad alta cortocircuito 10US 1200V Modulo IGBT 450A

$1152-99 Piece/Pieces

$82≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-450B120E53

marchioYzpst

VCES1200V

IC450m

ICRM900m

VGES±20V

Ptot3000W

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Scaricare :
Modulo IGBT YZPT-450B120E53
Descrizione del prodotto

YZPST-450B120E53

Modulo IGBT
Applicazioni
Inverter per l'unità del motore
Amplificatore MC e DC Servo Drive
UPS (alimentatori non interruplibili)
Saldatura a commutazione morbida

Fnaturns
Basso VCE (SAT) con tecnologia SPT+
VCE (SAT) con coefficiente di temperatura positivo
Compreso FWD anti-parallelo recupero veloce e morbido
Alta capacità di cortocircuito (10us)
Struttura del modulo a bassa induttanza
1200V IGBT Module 450A

Maxmmum ratmn assoluto


Parameter

Symbol

CondMtMons

Value

UnMt

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mm, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

450

m

Peak Collector Current

ICRM

ICRM =2IC

900

m

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

3000

W

IGBT Caralsmstmcs

Parameter

 

Symbol

 

CondMtMons

 

Value

 

UnMt

MMn.

Typ.

Max.

 

Gate-emitter Threshold Voltage

VGE(th)

VGE=VCE, IC =3mm,Tvj=25

5.0

6.2

7.0

V

 

Collector-Emitter Cut-off Current

 

ICES

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25

 

 

1.0

mm

VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125

 

 

5.0

mm

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

VCE(sat)

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=25

 

1.85

 

V

Ic=450m,VGE=15V, Tvj=125

 

2.05

 

V

Input Capacitance

Cies

 

VCE=25V,VGE =0V,

f=1MHz, Tvj=25

 

31.8

 

nF

Output Capacitance

Coes

 

2.13

 

nF

Reverse Transfer Capacitance

Cres

 

1.48

 

nF

Internal Gate Resistance

Rgint

 

 

0.7

 

Ω

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

IC =450 m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=25

 

320

 

ns

Rise Time

tr

 

165

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

650

 

ns

Fall Time

tf

 

124

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

35

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

42

 

mJ

Turn-on Delay Time

td(on)

 

 

 

IC =450m VCE = 600 V VGE = ±15V RG =3.3Ω

Tvj=125

 

350

 

ns

Rise Time

tr

 

193

 

ns

Turn-off Delay Time

td(off)

 

720

 

ns

Fall Time

tf

 

156

 

ns

Energy Dissipation During Turn-on

Time

Eon

 

55

 

mJ

Energy Dissipation During Turn-off

Time

Eoff

 

64

 

mJ

 

SC Data

 

Isc

Tp≤10us,VGE=15V, Tvj=150,Vcc=600V,

VCEM≤1200V

 

 

2100

 

 

m

Ÿ Pacchetto Dimensioni

1200V IGBT Module




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