Capacità ad alta cortocircuito 650V Modulo di potenza IGBT 200A

Name: Modulo IGBT SKM195GB066D
Uploaded: 2023-04-28T08:57:06+08:00
Description: Modulo IGBT SKM195GB066D

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Option:

Descrizione del prodotto

Caratteristiche del prodotto

Modello: YZPST-SKM195GB066D

marchio: Yzpst

Luogo D'origine: Cina

VCES: 650V

IC: 200A

ICRM: 400A

VGES: ±20V

Ptot: 695W

Confezionamento e consegna

Unità vendibili	:	Piece/Pieces
Tipo pacchetto	:	1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Esempio immagine	:
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Modulo IGBT SKM195GB066D

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Descrizione del prodotto

Tipo di modulo di potenza IGBT: YZPST-SKM195GB066D

Applicazioni

Inverter per l'unità del motore

Amplificatore AC e DC Servo Drive

UPS (alimentatori non interruplibili)

Welding Maching Switching soft

Caratteristiche

Basso VCE (SAT) con tecnologia di stop field di trincee

VCE (SAT) con coefficiente di temperatura positivo

Compreso FWD anti-parallelo recupero veloce e morbido

Elevata capacità di corto circuito (10us)

Struttura del modulo a bassa induttanza

Temperatura di giunzione massima 175 ℃

Assoluto Massimo Giudizi

Parameter	Symbol	Conditions	Value	Unit
Collector-Emitter Voltage	VCES	VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25℃	650	V
Continuous Collector Current	IC	Tc=100℃	200	A
Peak Collector Current	ICRM	tp=1ms	400	A
Gate-Emitter Voltage	VGES	Tvj=25℃	±20	V
Total Power Dissipation (IGBT-inverter)	Ptot	Tc=25℃ Tvjmax=175℃	695	W

Caratteristiche IGBT

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage	VGE(th)	VGE=VCE, IC =3.2mA,Tvj=25℃	5.1	5.8	6.3	V
		VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25℃			1	mA
Collector-Emitter Cut-off Current	ICES	VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125℃			5	mA
Collector-Emitter		Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25℃		1.45	1.95	V
Saturation Voltage	VCE(sat)	Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125℃		1.65		V
Input Capacitance	Cies	VCE=25V,VGE =0V,		12.3		nF
Reverse Transfer Capacitance	Cres	f=1MHz, Tvj=25℃		0.37		nF
Internal Gate Resistance	Rgint			1		Ω
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns
Rise Time	tr	IC =200 A		48		Ns
Turn-off Delay Ttime	td(off)	VCE =300 V		348		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		58		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG = 3.6Ω		2.32		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=25℃		5.85		mJ
Turn-on Delay Time	td(on)			48		Ns


Rise Time	tr	IC =200 A		48		Ns
Turn-off Delay Time	td(off)	VCE = 300V		364		Ns
Fall Time	tf	VGE = ±15V		102		Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time	Eon	RG =3.6Ω		3.08		mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time	Eoff	Tvj=125℃		7.92		mJ
SC Data	Isc	Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150℃ , Vcc=300V,VCEM≤650V		1000		A

Caratteristiche del diodo

Parameter			Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.
Recovered Charge	Qrr			8.05		uC
		IF =200 A
		VR=300V
Peak Reverse Recovery Current	Irr	-diF/dt =4200A/us		148		A
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=25℃		1.94		mJ
Recovered Charge	Qrr			16.9		uC
		IF =200 A
		VR=300V
Peak Reverse Recovery Current	Irr	-diF/dt =4200A/us		186		A
Reverse Recovery Energy	Erec	Tvj=125℃		3.75		mJ

Modulo caratteristiche stics t c = 25 ° C se non diversamente specificato

Parameter	Symbol	Conditions	Value			Unit
Parameter	Symbol	Conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
Isolation voltage	Visol	t=1min,f=50Hz	2500			V
Maximum Junction Temperature	Tjmax				150	℃
Operating Junction Temperature	Tvj op		-40		125	℃
Storage Temperature	Tstg		-40		125	℃
		per IGBT-inverter			0.19	K/W
Junction-to Case	R θjc	per Diode-inverter			0.31	K/W
Case to Sink	R θcs	Conductive grease applied		0.085		K/W
Module ElectrodesTorque	Mt	Recommended(M5)	2.5		5	N · m
Module-to-SinkTorque	Ms	Recommended(M6)	3		5	N · m
Weight of Module	G			150		g