YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo IGBT> YZPST 1200V 150B120F23 Modulo di potenza IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Modulo di potenza IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Modulo di potenza IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Modulo di potenza IGBT
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YZPST 1200V 150B120F23 Modulo di potenza IGBT

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-150B120F23

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VCES1200V

IC150A

ICRM300A

VGES±20V

Ptot968W

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
Modulo IGBT 1200V150A 150B120F23
Descrizione del prodotto
Modulo di potenza IGBT YZPST-150B120F23
VCE = 1200V IC = 150A
Applicazioni
Inverter per l'unità del motore
Amplificatore AC e DC Servo Drive
UPS (alimentatori non interruplibili)
Welding Maching Switching soft
Caratteristiche
Basso VCE (SAT) con tecnologia di stop field di trincee
VCE (SAT) con coefficiente di temperatura positivo
Compreso FWD anti-parallelo recupero veloce e morbido
Elevata capacità di corto circuito (10us)
Struttura del modulo a bassa induttanza

Temperatura di giunzione massima 175 ℃

YZPST-150B120F23 IGBT Module


Assoluto Massimo Giudizi

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

968

W

Caratteristiche IGBT

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25 5.2 6 6.8 V
VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25 1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125 5 mA
Collector-Emitter Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25 1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125 2 V
Input Capacitance Cies 9.8 nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V, 0.82 nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25 0.48 nF
Internal Gate Resistance Rgint 2.5 Ω
Turn-on Delay Time td(on) 185 Ns
Rise Time tr IC =150 A 55 Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V 360 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 115 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω 15.4 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25 11.6 mJ
Turn-on Delay Time td(on) 200 Ns
Rise Time tr IC =150 A 60 Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V 420 Ns
Fall Time tf VGE = ±15V 120 Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω 23.2 mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125 17 mJ
Tp≤10us,VGE=15V,
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 500 A
VCEM≤1200V

Caratteristiche del diodo

Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Diode DC Forward Current IF Tc=100 150 A
Diode Peak Forward Current IFRM 300 A
IF=150A,Tvj=25 1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125 1.85 V
Parameter Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.
Recovered Charge Qrr 13.4 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 143 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 160 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25 9.1 mJ
Recovered Charge Qrr 26.1 uC
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V 178 A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us 440 ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125 15.4 mJ

Caratteristiche del modulo T c = 25 ° C se non diversamente specificato

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500 V
Maximum Junction Temperature Tjmax 150
Operating Junction Temperature Tvjop -40 125
Storage Temperature Tstg -40 125
per IGBT-inverter 0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter 0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied 0.05 K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5 5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3 5 N·m
Weight of Module G 150 g

Pacchetto Dimensioni

YZPST-150B120F23 Dimensions



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苏ICP备05018286号-1
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