YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Transistor di silicio> TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16
TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16
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$0.0310000-99999 Piece/Pieces

$0.02≥100000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BD140-16

marchioYzpst

ApplicazioneMicrofono, Non applicabile

Tipo Di FornituraProduttore originale, ODM, altro

Materiali Di Riferimentoscheda dati, Foto, altro

Tipo Di PacchettoMontaggio superficiale

Metodo Di InstallazioneAttraverso il foro, Non applicabile

Funzione FETNon applicabile

ConfigurazioneNon applicabile

VCBO-80V

VCEO-80V

VEBO-5V

IC-1.5A

IB-0.5A

Ptot12.5W

Tj150℃

Tstg-55~150℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
Transistor BD139-16 TO-126FCU
Descrizione del prodotto

Transistor al silicio PNP

YZPST-BD140-16

TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16


DESCRIZIONE

Il BD140-16 è Transistor PNP planari epitassiali di silicio

Nel pacchetto di plastica JEDEC TO-126, progettato per l'audio

amplificatori e driver che utilizzano complementari o quasi

Circuiti complementari.

I tipi NPN complementari sono il BD139-16

Yzpst Bd140 16 Jpg


VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE ( Ta = 25 o c)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

-80

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

-80

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

-5.0

V

Collector Current

IC

-1.5

A

Base Current

IB

-0.5

A

Total Dissipation at

Ptot

12.5

W

Max. Operating Junction Temperature

Tj

150

oC

Storage Temperature

Tstg

-55~150

oC

Caratteristiche elettriche (TA = 25 o c)

Parameter Symbol Test   Conditions Min. Typ. Max. Unit
Collector Cut-off Current ICBO VCB  = -80V, IE  = 0 -10 μA
Emitter Cut-off Current IEBO
VEB  = -5.0V, IC  = 0 -10 μA
VCEO
Collector-Emitter Sustaining Voltage IC  = -1.0mA, IB  = 0 -80 V
VCE  = -2.0V, IC  = -0.15A 100 250
DC Current Gain hFE
VCE  = -2.0V, IC  = -0.5A 100
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage IC  = -0.5A, IB  = -0.05A -0.5 V
VBE
Base-Emitter Voltage IC  = -0.5A, VCE  = -2.0V -1 V
fT
Transition Frequency VCE  = -5.0V,IC  = -50mA 80 MHz



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