YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Transistor di silicio> Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione
Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione
Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione
Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione
Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione
Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione
Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione

Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione

$0.0351000-9999 Piece/Pieces

$0.023≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo:1000 Piece/Pieces
Trasporti:Ocean,Air
Porta:Shanghai
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BFR93A

marchioYZPST

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica
Scaricare :
Descrizione del prodotto

Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione

Transistor incapsulati in plastica

YZPST-BFR93A

Caratteristiche

1. Alta frequenza di transizione (Typ.f T = 1.5GHz)

2. Small rbb`Cc e high guadagnare. (Typ.4ps)

3. Piccolo NF.

4. Dichiariamo che il materiale è conforme ai prodotti RoHS requisiti.

VALUTAZIONI MASSIME (T A = 25 ° C se non diversamente indicato)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

20

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

11

V

Emitter-base voltage

VEBO

3

V

Collector Current

IC

50

mA

Collector power dissipation

PC

0.2

W

Junction temperature

Tj

150

°C

Storage temperature

Tstg

-55~+150

°C

CARATTERISTICHE ELETTRICHE ( T A = 25 ° C )

Parameter

Symbol

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

Collector-base breakdown voltage

BVCBO

20

-

-

V

IC=10mA

Collector-emitter breakdown voltage

BVCEO

11

-

-

V

IC=1mA

Emitter-base breakdown voltage

BVEBO

3

-

-

V

IE=10mA

Collector cutoff current

ICBO

-

-

0.5

mA

VCB=10V

Emitter cutoff current

IEBO

-

-

0.5

mA

VEB=2V

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

-

-

0.5

V

IC/IB=10mA/5mA

DC current transfer ratio

hFE

56

-

120

-

VCE/IC=10V/5mA

Transition frequency

fT

1.4

3.2

-

GHz

VCE=10V, IE=-10mA, f=500MHz

Output capacitance

Cob

-

0.8

1.5

pF

VCB=10V, IE=0A, f=1MHz

Collector-base time constant

rbb`Cc

-

4

12

ps

VCB=10V, IC=10mA, f=31.8MHz

Noise factor

NF

-

3.5

-

dB

VCE=6V, IC=2mA, f=500MHz,Rg=50W







Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Transistor di silicio> Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione
苏ICP备05018286号-1
Invia domanda
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Invia