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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Elenco prodotti > Pacchetto di plastica a semiconduttore > Transistor al silicio > Transistor di potenza Darlington SPPECH al silicio PNP

Transistor di potenza Darlington SPPECH al silicio PNP
Transistor di potenza Darlington SPPECH al silicio PNP
Transistor di potenza Darlington SPPECH al silicio PNP
Transistor di potenza Darlington SPPECH al silicio PNP

Transistor di potenza Darlington SPPECH al silicio PNP

Prezzo unitario: USD 0.55 - 0.72 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 100 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-FW26025A

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

    Applicazione: Radio

    Numero di lotto: 2010+

    VCBO: -100V

    VCEO: -100V

    VEBO: -5V

    IC: -20A

    Icm: -40A

    IB: -0.5A

    PC: 160W

    TJ: 200℃

    Tstg: -65~200℃

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 100000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 1000000

    Certificati : ISO9001-2015,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Transistor di potenza Darlington in silicone PNP

YZPST-FW26025A

Transistor di potenza Darlington SPPECH al silicio PNP

DESCRIZIONE

· Elevato guadagno in corrente continua-

: hFE = 5000 (Min) @ IC = -2A

· Tensione sostenitore collettore-emettitore-

: VCEO (SUS) = -100V (Min)

· Variazioni minime da lotto a lotto per prestazioni del dispositivo robuste e funzionamento affidabile.

APPLICAZIONI

· Progettato per apparecchiature industriali lineari e di commutazione

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE (Ta = 25 ℃)

SYMBOL

 

PARAMETER

 

VALUE

 

UNIT

 

VCBO

 

Collector-Base Voltage

 

-100

 

V

 

VCEO

 

Collector-Emitter Voltage

 

-100

 

V

 

VEBO

 

Emitter-Base Voltage

 

-5

 

V

 

IC

 

Collector Current-Continuous

 

-20

 

A

 

ICM

 

Collector Current-Peak

 

-40

 

A

 

IB

 

Base Current- Continuous

 

-0.5

 

A

 

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25

 

160

 

W

 

Tj

 

Junction Temperature

 

200

 

Tstg

 

Storage Temperature Range

 

-65~200

CARATTERISTICHE TERMICHE

SYMBOL

 

PARAMETER

 

MAX

 

UNIT

 

Rth j-c

 

Thermal Resistance, Junction to Case

 

1.09

/W

CARATTERISTICHE ELETTRICHE

TC = 25 ℃ se non diversamente specificato

 

SYMBOL

 

PARAMETER

 

CONDITIONS

 

MIN

 

TYP.

 

MAX

 

UNIT

 

VCEO(SUS)*

 

Collector-Emitter Sustaining Voltage

 

IC= -100mA, IB= 0

 

-100

 

 

 

V

 

VCE(sat)-1*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -10A ,IB= -40mA

 

 

 

-2.0

 

V

 

VCE(sat)-2*

 

Collector-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-3.0

 

V

 

VBE(sat)*

 

Base-Emitter Saturation Voltage

 

IC= -20A ,IB= -200mA

 

 

 

-4

 

V

 

V BE(on)*

 

Base-Emitter On Voltage

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

 

 

-2.8

 

V

 

ICEO

 

Collector Cutoff current

 

VCE= -50V, IB= 0

 

 

 

-1

 

mA

 

ICEV

 

Collector Cutoff current(VBE=-1.5V)

VCE= -100V, IB= 0

 

 

-0.5

 

mA

VCE= -100V, IB= 0,Tc=150

-5

 

IEBO

 

Emitter Cutoff Current

 

VEB= -5V; IC= 0

 

 

 

-2

 

mA

 

hFE-1*

 

DC Current Gain

 

IC= -2A ; VCE= -3V

 

5000

 

 

 

 

hFE-2*

 

DC Current Gain

 

IC= -10A ; VCE= -3V

 

750

 

 

18000

 

 

hFE-3*

 

DC Current Gain

 

IC= -30A ; VCE= -3V

 

200

 

 


*: Test impulsi: larghezza impulso = 300us, duty cycle≤2%

YZPST-FW26025A-Outline




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