YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> BIE Direzioni THIRISTOR (TRIAC)> TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel

TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel

$0.721000-9999 Piece/Pieces

$0.58≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-FQP3P50

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VDSS-500V

VGSS±30V

ID Tc=25℃-2.7A

ID Tc= 100℃-1.71A

IDM-10.8A

Ptot85W

Tj150℃

Tstg-55-150℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Esempio immagine :
Scaricare :
MOSFET FQP3P50 a220
Descrizione del prodotto
MOSFET FQP3P50
P/N: YZPST-FQP3P50
Desscription:
FQP3P50 è una potenza di potenziamento del canale P-Canale
MOSFET. Questo MOSFET di potenza viene solitamente utilizzato ad alta velocità
Alimentatori in modalità commutazione, amplificatore audio DC

Controllo del motore e applicazioni di alimentazione di commutazione variabili.

YZPST-FQP3P50 TO-220

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

Symbol Parameter Value Unit
VDSS Drain-Source Voltage -500 V
VGSS Gate-Source Voltage ±30 V
Tc=25 -2.7 A
ID Continuous Drain Current Tc= 100 -1.71 A
IDM Pulsed Drain Current -10.8 A
Ptot Power Dissipation (TC=25°C) To-220C 85 W
Tj Junction Temperature 150
Tstg Operation and Storage Temperature -205
EAS Avalanche Energy 250 mJ

Caratteristiche elettriche (TC = 25 ° C, se non diversamente specificato)

Symbol Parameter Test Condition Value Unit
Min Type Max
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0V, ID=- 250μA -500 V
VDS=-500V ,VGS=0V -1 uA
IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=-400V,VGS=0V    -100 uA
Tc=125
IGSS Gate-Source Leakage Current VGS= ±30V ±100 nA
VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS,ID= - 250uA -3 -5 V
RDS(ON) Static Drain-Source On-State Resistance VGS= -10V ID= -1A 5 Ω
BVDSS / ∆TJ Breakdown Voltage Temperature Coefficient ID = -250 µA, 0.42 V/

Yzpst Fqp3p50 To 220 Jpg

Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> BIE Direzioni THIRISTOR (TRIAC)> TO-220 FQP3P50 è un MOSFET di potenziamento del miglioramento del canale p-channel
苏ICP备05018286号-1
Invia domanda
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Invia