YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)> Creazione DV/DT elevata a-92 0,8a SCR
Creazione DV/DT elevata a-92 0,8a SCR
Creazione DV/DT elevata a-92 0,8a SCR
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Creazione DV/DT elevata a-92 0,8a SCR

Creazione DV/DT elevata a-92 0,8a SCR

$39200-1999 Others

$32≥2000Others

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Express,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BT169 10-30UA

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

LT(RMS)0.8A

VTM<1.5V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

LTSM10A

L2t0.5A2s

Dl/dt50A/μs

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : 1000 pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
SCR BT169 10-30UA TO92CU
Descrizione del prodotto

YZPST-BT169 Scr


DESCRIZIONE:

La serie BT 1 6 9 SCR fornisce una velocità DV/DT elevata

con una forte resistenza all'interfaccia elettromagnetica.

Sono particolarmente raccomandati per l'uso sull'interruttore di corrente residua, i capelli lisci, l'accenditore ecc.

YZPST-BT169 10-30UA TO-92


PRINCIPALE CARATTERISTICHE:

symboI

vaIue

unit

lT(RMS)

0.8

A

VDRM/VRRM

400/600/800

V

VTM

<1.5

V

ASSOLUTO MASSIMO GIUDIZI:

Parameter

SymboI

vaIue

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

400/600/800

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

400/600/800

V

RMS on-state current (Tc=80)

lT(RMS)

0.8

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

lTSM

10

A

l2t value for fusing (tp=10ms)

l2t

0.5

A2s

critical rate of rise of on-state current (lG=2xlGT)

dl/dt

50

A/μs

Peak gate current

lGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25k se non diversamente specificato)

SymboI vaIue
Test Condition MlN TYPE MAX unit
lGT - 20 200 μA
VGT VD=12V, RL=33Ω - 0.5 1 V
VD=VDRM Tj=110K
VGD RL=3.3KΩ 0.2 - - V
lH lT=50mA - - 2 mA
lL lG=1.2lGT - - 3 mA
VD=0.66XVDRM   Tj=110K
dV/dt G  RGK=1KΩ 20 - - V/μs

Caratteristiche statiche

SymboI Test Condition vaIue unit
VTM lTM=2A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
lDRM VDRM= VRRM Tj=25 5 μA
lRRM RGK=1KΩ Tj=110 MAX 100 μA

PACCHETTO MECCANICO DATI

YZPST-BT169 TO-92


苏ICP备05018286号-1
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