Alta tensione 30TPS12 30A SCR TO-247

Name: SCR 30TPS12 a247
Uploaded: 2023-05-23T08:15:04+08:00
Description: SCR 30TPS12 a247

$0.861000-1999 Piece/Pieces

$0.7≥2000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:	L/C,T/T,Paypal
Incoterm:	FOB,CFR,CIF
Trasporti:	Ocean,Land
Porta:	SHANGHAI

Option:

IGT:≤35 mA
IT(RMS):30A
VRRM:1200V
VDRM:1200V
IT(AV):20A
IT(RMS):30A

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Descrizione del prodotto

Caratteristiche del prodotto

Confezionamento e consegna

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Other information

Caratteristiche del prodotto

Modello: YZPST-30TPS12

marchio: Yzpst

Luogo D'origine: Cina

IGT: ≤35 mA

IT(RMS): 30 A, 30A

VRRM: 1200V

VDRM: 1200V

IT(AV): 20A

ITSM: 300A

I2t: 450A2s

DI /dt: 50A/μs

PG(AV): 1W

Confezionamento e consegna

Unità vendibili	:	Piece/Pieces
Tipo pacchetto	:	1. Imballaggio antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Esempio immagine	:
Scaricare	:

SCR 30TPS12 a247

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Descrizione del prodotto

30TPS12 TIRISTORS P/N: YZPST-30TPS12

Alta tensione 30TPS12 30A SCR TO-247

Desscription:

Le serie ad alta tensione 30TPS12 di rettificatori controllati al silicio sono specificamente progettate per le applicazioni di commutazione di potenza di media potenza e di controllo delle fasi. La tecnologia di passione di vetro utilizzata ha un funzionamento affidabile fino a 125 ° C temperatura di giunzione. Le applicazioni tipiche sono in rettifica di ingresso (start soft) e questi prodotti sono progettati per essere utilizzati con diodi di ingresso, switch e raddrizzatori di uscita, che sono disponibili in schemi identici di pacchetto .

YZPST-30TPS12 SCR

Simbolo

Symbol	Value
IGT	≤35 mA
IT(RMS)	30 A
VRRM	1200 V

Valutazioni assolute MAX I MUM (TC = 25 ° C, se non diversamente specificato)

Symbol	PARAMETER	Value	Unit
V DRM	Repetitive peak off-state voltage (Tj =25℃)	1200	V
VRRM	Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	1200	V
IT(AV)	Average on-state current (180° conduction angle)	20	A
IT(RMS)	RMS on-state current(full sine wave)	30	A
ITSM	Non repetitive surge peak on-state current (180° conduction angle, F=50Hz ，TC=85℃)	300	A
I2t	I2t for Fusing (t = 10 ms)	450	A2s
dI /dt	Critical rate of rise of on-state current (I =2 ×IGT, tr ≤ 100 ns)	50	A/μs
IGM	Peak Gate Current	4	A
PG(AV)	Average Gate Power dissipation	1	W
Tstg	Storage junction temperature range	-40 ~ 150	°C
TJ	Operating junction temperature range	-40 ~ 125	°C

Caratteristiche elettriche (TJ = 25。c, se non diversamente specificato)

Symbol	Test Condition	Value		Unit
Symbol	Test Condition	Min	Max	Unit
IGT	V = 12V R =33Ω		35	mA
VGT	V = 12V R =33Ω		1.3	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.2		V
IL	IG= 1.2IGT		180	mA
IH	IT=500mA		120	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Gate Open Tj=125℃	500		V/μs
VTM	ITM =45A tp=380μs		1.7	V
IDRM	VD=VDRM VR=VRRM		20	μA
IRRM	VD=VDRM VR=VRRM		4	mA