YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)> Capacità ad alta tensione S3530 35A SCR TO220F
Capacità ad alta tensione S3530 35A SCR TO220F
Capacità ad alta tensione S3530 35A SCR TO220F
Capacità ad alta tensione S3530 35A SCR TO220F
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Capacità ad alta tensione S3530 35A SCR TO220F
Capacità ad alta tensione S3530 35A SCR TO220F

Capacità ad alta tensione S3530 35A SCR TO220F

$1.2500-1999 Piece/Pieces

$0.6≥2000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-S3530

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

Tstg-40 ~ 150℃

Tj-40~ 125℃

VDRM1600V

VRRM1600V

VDSMVDRM +100V

VRSMVRRM +100V

IT(RMS)35A

ITSM300A

IT(AV)23A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
SCR S3530 TO-220F
Descrizione del prodotto
P/N: YZPST-S3530 35A SCRS
CARATTERISTICHE
Alte prestazioni di ciclismo termico
Alta capacità di tensione

Capacità di aumento di corrente molto alta

Applicazioni

RECTIFICAZIONE DELLA LINEA 50/60 Hz
Controllo del motore AC SoftStart
Controllo del motore CC
Trasformatore di energia
Controllo di potenza CA

Illuminazione e controllo della temperatura

YZPST-S3530

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction  temperature range

Tstg

-40 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

1600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T = 110℃)

IT(RMS)

35

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

300

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

23

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

450

A2 S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr ≤ 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Thermal Resistances

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

Junction to case (DC)

2.5

℃/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T=25℃unless otherwise specified)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

30

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj= 125

MIN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

160

mA

IH

IT=500mA

MAX.

120

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

500

V/μs

STATIC CHARACTERISTICS
Symbol Parameter Value(MAX.) Unit
VTM ITM =35A tp=380μs Tj =25℃ 1.5 V
IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj =25℃ 20 μA
IRRM Tj =125℃ 4 mA

Dati meccanici del pacchetto TO-220F

TO-220F Package Mechanical Data

苏ICP备05018286号-1
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