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Home > Elenco prodotti > Pacchetto di plastica a semiconduttore > Silicon Controlled Rectifier (SCR) > Raddrizzatore a ponte monofase a bassa resistenza termica 1000V

Raddrizzatore a ponte monofase a bassa resistenza termica 1000V
Raddrizzatore a ponte monofase a bassa resistenza termica 1000V
Raddrizzatore a ponte monofase a bassa resistenza termica 1000V
Raddrizzatore a ponte monofase a bassa resistenza termica 1000V

Raddrizzatore a ponte monofase a bassa resistenza termica 1000V

Prezzo unitario: USD 0.6 - 1 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 1000 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-KBPC5010

    VRRM: 800V

    VRSM: 900V

    IF(AV): 50A

    IFSM: 500A

    I2t: 1250 A2S

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 10000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 100000

    Certificati : ISO9001-2015,ROHS

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

Raddrizzatore a ponte monofase

YZPST-KBPC5010

caratteristica

● Bassa caduta di tensione diretta

● Tensione di isolamento 2000 V ~

● Piccolo volume, leggero

● Bassa resistenza termica,

alto tasso di conduzione del calore, aumento di bassa temperatura


Applicazione

● Alimentatore per dispositivo di alimentazione CC

● Raddrizzatore di input per convertitore PWM

● Alimentatore per dispositivo CC

YZPST-KBPC50060-1YZPST-KBPC50060-2



■ Valore massimo

 

Symbol

 

Parameter

Rating

 

Unit

KBPC

5006

5008

5010

VRRM

Peak reverse repetitive voltage

600

800

1000

V

VRSM

Peak reverse non-repetitive voltage

700

900

1100

V

Symbol

Parameter

Test condition

Rating

Unit

IFAV

Forward average current

180°sine half-wave 50Hz single-sided heat

dissipation TC=55

50

A

IFSM

Forward surge current

t=10ms,50Hz,sin,Tjm

500

A

I2t

I2t value

 

1250

A2S

VISO

Isolation voltage

50HzR.M.St=1minIiso:1mA(max)

2000

V

Tj

Operating junction temperature

 

-40 to +150

Tjm

Rated junction temperature

 

150

Tstg

Storage temperature

 

-40 to +125

Md

Mounting torque M5

 

2

N·m

Wt

Weight

 

18

g


■ Caratteristiche elettriche

Symbol

Parameter

Test condition

Rating

Unit

 

IRRM

 

Peak reverse repetitive current

VR=VRRM, sine half-wave,Tj=25

5

μA

VR=VRRM, sine half-wave,Tj=150

3

mA

VFM

Peak forward voltage

IFM =25A, Tj=25

1.1

V

Rth(j-c)

Thermal impedance(junction-case)

Single-sided heat dissipation, sine half-wave

1.6

/W

YZPST-KBPC50060-3YZPST-KBPC50060-4YZPST-KBPC50060-5




Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Silicon Controlled Rectifier (SCR)

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