YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)> 25A SCR ha buone prestazioni in DV/DT e affidabilità
25A SCR ha buone prestazioni in DV/DT e affidabilità
25A SCR ha buone prestazioni in DV/DT e affidabilità
25A SCR ha buone prestazioni in DV/DT e affidabilità
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25A SCR ha buone prestazioni in DV/DT e affidabilità

25A SCR ha buone prestazioni in DV/DT e affidabilità

$0.351000-9999 Piece/Pieces

$0.2≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:CFR,FOB,CIF
Trasporti:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-25TTS12FP

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

IT(RMS)25A

VDRM/VRRM1200V

IGT10-20mA

ITSM250A

I2t312A2 S

Di/dt100A/μs

VDRM VRRM1200V

IGM4A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
SCR 25TTS12FP TO220F
Descrizione del prodotto
SCR P/N: YZPST-25TTS12FP

Desscription:
A causa del processo di diffusione della separazione e MESA
Tecnologia e passione di vetro, questi dispositivi
avere buone prestazioni a DV/DT e affidabilità.
Queste serie di SCR sono progettate specificamente
Per illuminazione domestica, riscaldamento e velocità del motore
controller.

CARATTERISTICHE PRINCIPALI

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

1200

V

IGT

10-20

mA

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

Symbol

PARAMETER

Value

Unit

IT(RMS)

RMS on-state current(all conduction angles)

TO-220AB

Tc=90

25

A

ITSM

Non repetitive surge peak on-state current (half sine cycle, Tj=25)

F=50HZ    tp=10ms

250

A

I2t

I2t Value for fusing

tp=10ms

312

A2 S

di/dt

Repetitive rate of rise of on-state

Current after triggering

F=120HZ,Tj=125

100

A/μs

VDRM

VRRM

Repetitive Peak Off-state Voltage

Repetitive Peak Reverse Voltage

Tj=25

1200

V

IGM

Peak gate current, tp=20us,

Tj=125

4

A

PG(AV)

Average gate power dissipation

Tj=125

1

W

Tstg

Storage junction temperature range

-40 to +150

Tj

Operating junction temperature range

-40 to +125

CARATTERISTICHE ELETTRICHE

Symbol

Test Condition

Quadrant

Value

Unit

IGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

MAX

25

mA

VGT

VAK=12V, R=50Ω, T=25°C

MAX

1.2

V

VGD

VD=VDRM RL=3.5KΩ Tj=125

MIN

0.2

V

IH

IT=100mA, IG=50mA

MAX

50

mA

IL

 

IG=1.2IGT

 

MAX

 

80

 

mA

dv/dt

VD=67% VDRM gate open(Tj=125)

MIN

1000

V/μs

Caratteristiche statiche

Symbol

Parameter

Value

Unit

VTM

IT=50A, IG=50mA, T=25°C

MAX

1.50

V

IDRM/IRRM

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=25

MAX

5

μA

H.T.IDRM/IRRM

VD=VDRM VR=VRRM, Tj=125

MAX

1

mA

Rth(j-c)

Junction to case(DC), TO-220A

MAX

0.9

/W

YZPST-25TTS12FP SCR
苏ICP备05018286号-1
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