YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)>

$0.125000-49999 Piece/Pieces

$0.1≥50000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BT151-650R-L

marchioYzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)12A

VDRM650V

VRRM650V

IGT15mA

Tstg-40 ~150℃

Tj-40~125℃

ITSM100A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
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SCR BT151-650R-L to220
Descrizione del prodotto

Serie BT151 12A SCRS

YZPST-BT151-650R-L

DESCRIZIONE:

Tiristals -passivivati ​​in busta aplastica, la serie BT151 SCRS è adatta per adattarsi a tutte le modalità di controllo, trovate in applicazioni come protezione da cofanetto di sovratensione, circuiti di controllo del motore in utensili da cucina, circuiti di limitazione della corrente di invoscio

YZPST-BT151X-650R

PRINCIPALE CARATTERISTICHE

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

12

A

VDRM VRRM

650

V

IGT

15

mA

ASSOLUTO MASSIMO GIUDIZI

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

-40~ 125

Repetitive peak off-state voltage (T =25)

VDRM

650

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25)

VRRM

650

V

RMS on-state current (T = 105)

IT(RMS)

12

A

Non repetitive surge peak on-state current

( 180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

100

A

Average on-state current ( 180° conduction angle)

IT(AV)

8

A

I2t value for fusing (tp= 10ms)

I2t

45

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2 ×IGT, tr  ≤   100 ns)

di/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

ELETTRICO Caratteristiche (T = 25a meno che Altrimenti specificato )

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V = 12V R = 140Ω

MAX.

15

mA

VGT

MAX.

1.3

V

VGD

VD=VDRM Tj=125 R= 1KΩ

MIN.

0.2

V

IL

IG= 1.2IGT

MAX.

50

mA

IH

IT=50mA

MAX.

30

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open    Tj=125

MIN.

400

V/μs

Caratteristiche statiche

Symbol Parameter ValueMAX. Unit
VTM ITM =23A tp=380μs Tj =25 1.6 V
IDRM VD=VDRM VR=VRRM Tj =25 5 μA
IRRM Tj =125 2 mA

Termico Resistenze

Symbol Parameter Value Unit
TO-220M1 60
Rth(j-a) junction to    ambient TO-220FW 50
TO-252 70
TO-220M1 1.5 /W
Rth(j-c) Junction to case TO-220FW 4.5
TO-252 2

To-220 Pacchetto Meccanico Dati
YZPST-BT151-500R-L TO-220


苏ICP备05018286号-1
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