YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Livelli di trigger altamente sensibili X0405 SCR
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Livelli di trigger altamente sensibili X0405 SCR
Livelli di trigger altamente sensibili X0405 SCR

Livelli di trigger altamente sensibili X0405 SCR

$0.11≥1000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo:1000 Piece/Pieces
Trasporti:Ocean,Air
Porta:Shanghai
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-X0405

marchioYZPST

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica
X0405 私 域
Descrizione del prodotto


Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)

YZPST-X0405

DESCRIZIONE:

Grazie a livelli di attivazione altamente sensibili, il

La serie SCR X0405 è adatta a tutte le applicazioni

dove la corrente di gate disponibile è limitata, ad esempio

interruttori di circuito di guasto a terra, sovratensione

protezione del piede di porco in alimentatori a bassa potenza,

circuiti di accensione capacitivi, ...


CARATTERISTICHE PRINCIPALI

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

4.0

A

VDRM VRRM

600

V

IGT

200

µA

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE


Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junctiontemperature range

Tstg

-40 ~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T =60℃)

IT(RMS)

4.0

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

30

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

2.5

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

4.5

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

1.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.2

W

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (T = 25 ℃ se non diversamente specificato)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V =12V R =140Ω

MAX.

200

µA

VGT

MAX.

0.8

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

MIN.

0.1

V

IL

IG=1.2IGT

MAX.

6

mA

IH

IT=50mA

MAX.

5

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

15

V/μs

CARATTERISTICHE STATICHE

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

VTM

ITM =8.0A tp=380μs

Tj =25℃

1.8

V

IDRM

VD=VDRM VR=VRRM

 

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

1

mA

Resistenze termiche

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

Rth(j-a)

junction to  ambient

60

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

20

Schema informativo per l'ordinazione

YZPST-X0405


苏ICP备05018286号-1
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