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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Elenco prodotti > Pacchetto di plastica a semiconduttore > Silicon Controlled Rectifier (SCR) > 25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr

25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr

25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr

Prezzo unitario: USD 0.3 - 0.4 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 2000 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-25TTS08

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 10000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 100000

    Certificati : ISO9001-2015,ROHS

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

PH ASE CONTROL SCR

YZPST-25TTS08

Descrizione / Caratteristiche

I 25TTS08 dei raddrizzatori controllati al silicio sono progettati specificamente per applicazioni di commutazione di potenza e controllo di fase di media potenza. La tecnologia di passivazione del vetro utilizzata ha un funzionamento affidabile fino a 125 ° C di temperatura di giunzione.

Le applicazioni tipiche sono in rettifica di ingresso (softstart) e questi prodotti sono progettati per essere utilizzati con diodi di ingresso, interruttori e raddrizzatori di ingresso International Rectifier disponibili in identici contorni di pacchetti.

VALORI MASSIMI ASSOLUTI (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Typ

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

800

 

V

Average on-state current

IT(AV)

16

A

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

 

Non-repetitive peak on-state current

 

ITSM

 

300

 

A

Max. Operating Junction

Temperature

 

Tj

 

110

 

oC

Storage Temperature

Tstg

-45~150

oC

1



CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Test  Conditions

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

 

-

 

800

 

-

 

V

 

Average on-state current

 

IT(AV)

 

o

 

-

 

16

 

-

 

A

 

RMS on-state current

 

IT(RMS)

 

all conduction angles

 

-

 

25

 

-

 

A

 

On-state voltage

 

VTM

 

o

 

-

 

-

 

1.25

 

V

Holding current

IH

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

100

mA

Latching current

IL

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

200

mA

 

Gate trigger current

 

IGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

45

 

mA

 

Gate trigger voltage

 

VGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

2.0

 

V


Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Silicon Controlled Rectifier (SCR)

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