YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)> 25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr
25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr
25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr
25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr

25TTS08 800V raddrizzatori controllati al silicio Phase control scr

$0.42000-99999 Piece/Pieces

$0.3≥100000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo:2000 Piece/Pieces
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-25TTS08

marchioYZPST

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica
Descrizione del prodotto

PH ASE CONTROL SCR

YZPST-25TTS08

Descrizione / Caratteristiche

I 25TTS08 dei raddrizzatori controllati al silicio sono progettati specificamente per applicazioni di commutazione di potenza e controllo di fase di media potenza. La tecnologia di passivazione del vetro utilizzata ha un funzionamento affidabile fino a 125 ° C di temperatura di giunzione.

Le applicazioni tipiche sono in rettifica di ingresso (softstart) e questi prodotti sono progettati per essere utilizzati con diodi di ingresso, interruttori e raddrizzatori di ingresso International Rectifier disponibili in identici contorni di pacchetti.

VALORI MASSIMI ASSOLUTI (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Typ

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

800

 

V

Average on-state current

IT(AV)

16

A

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

 

Non-repetitive peak on-state current

 

ITSM

 

300

 

A

Max. Operating Junction

Temperature

 

Tj

 

110

 

oC

Storage Temperature

Tstg

-45~150

oC

1



CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Test  Conditions

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

 

-

 

800

 

-

 

V

 

Average on-state current

 

IT(AV)

 

o

 

-

 

16

 

-

 

A

 

RMS on-state current

 

IT(RMS)

 

all conduction angles

 

-

 

25

 

-

 

A

 

On-state voltage

 

VTM

 

o

 

-

 

-

 

1.25

 

V

Holding current

IH

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

100

mA

Latching current

IL

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

200

mA

 

Gate trigger current

 

IGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

45

 

mA

 

Gate trigger voltage

 

VGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

2.0

 

V


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