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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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25TTS12 controllo di fase semiconduttori 1200 V
25TTS12 controllo di fase semiconduttori 1200 V

25TTS12 controllo di fase semiconduttori 1200 V

Prezzo unitario: USD 0.22 - 0.25 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 2000 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-25TTS12-1

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 10000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 100000

    Certificati : ISO9001-2015,ROHS

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto


Phase Control SCR, 25 A

DESCRIZIONE / CARATTERISTICHE

I 25TTS ... High Voltage Series di raddrizzatori controllati al silicio sono progettati specificamente per applicazioni di commutazione di potenza e controllo di fase di media potenza. La tecnologia di passivazione del vetro utilizzata ha un funzionamento affidabile fino a

125 ° C temperatura di giunzione.

Le applicazioni tipiche sono in rettifica di input (avvio graduale) e questi prodotti sono progettati per essere utilizzati con diodi di ingresso Vishay HPP, interruttori e raddrizzatori di uscita disponibili in identici contorni del pacchetto.

Questo prodotto è stato progettato e qualificato per il livello industriale.

1

PRODUCT SUMMARY

VT at 16 A

< 1.25 V

ITSM

300 A

VRRM

800/1200 V

OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS

APPLICATIONS

SINGLE-PHASE BRIDGE

THREE-PHASE BRIDGE

UNITS

Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C, common heatsink of 1 °C/W

 

18

 

22

 

A

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

IT(AV)

Sinusoidal waveform

16

 

A

IRMS

 

25

VRRM/VDRM

 

800/1200

V

ITSM

 

300

A

VT

16 A, TJ = 25 °C

1.25

V

dV/dt

 

500

V/µs

dI/dt

 

150

A/µs

TJ

 

- 40 to 125

°C

VOLTAGE RATINGS

 

PART NUMBER

VRRM, MAXIMUM PEAK REVERSE VOLTAGE V

VDRM, MAXIMUM PEAK DIRECT VOLTAGE

V

IRRM/IDRM AT 125 °C mA

25TTS08

800

800

 

10

25TTS12

1200

1200

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 

PARAMETER

 

SYMBOL

 

TEST CONDITIONS

VALUES

 

UNITS

TYP.

MAX.

Maximum average on-state current

IT(AV)

TC = 93 °C, 180° conduction half sine wave

16

 

 

A

Maximum RMS on-state current

IRMS

 

25

Maximum peak, one-cycle, non-repetitive surge current

 

ITSM

10 ms sine pulse, rated VRRM applied

300

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

350

 

Maximum I2t for fusing

 

I2t

10 ms sine pulse, rated VRRM applied

450

 

A2s

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

630

Maximum I2t for fusing

I2t

t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied

6300

A2s

Maximum on-state voltage drop

VTM

16 A, TJ = 25 °C

1.25

V

On-state slope resistance

rt

 

TJ = 125 °C

12.0

mΩ

Threshold voltage

VT(TO)

1.0

V

 

Maximum reverse and direct leakage current

 

IRM/IDM

TJ = 25 °C

 

VR = Rated VRRM/VDRM

0.5

 

 

mA

TJ = 125 °C

10

Holding current

IH

Anode supply = 6 V, resistive load, initial IT = 1 A

-

100

Maximum latching current

IL

Anode supply = 6 V, resistive load

200

Maximum rate of rise of off-state voltage

dV/dt

 

500

V/µs

Maximum rate of rise of turned-on current

dI/dt

 

150

A/µs

TRIGGERING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum peak gate power

PGM

 

8.0

 

W

Maximum average gate power

PG(AV)

 

2.0

Maximum peak positive gate current

+ IGM

 

1.5

A

Maximum peak negative gate voltage

- VGM

 

10

V

 

 

Maximum required DC gate current to trigger

 

 

IGT

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C

60

 

 

mA

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C

45

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C

20

 

Maximum required DC gate voltage to trigger

 

 

VGT

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C

2.5

 

 

V

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C

2.0

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C

1.0

Maximum DC gate voltage not to trigger

VGD

 

TJ = 125 °C, VDRM = Rated value

0.25

Maximum DC gate current not to trigger

IGD

2.0

mA

SWITCHING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Typical turn-on time

tgt

TJ = 25 °C

0.9

 

 

µs

Typical reverse recovery time

trr

 

TJ = 125 °C

4

Typical turn-off time

tq

110

THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum junction and storage temperature range

 

TJ, TStg

 

 

- 40 to 125

 

°C

Maximum thermal resistance, junction to case

 

RthJC

 

DC operation

 

1.1

 

 

 

°C/W

Maximum thermal resistance, junction to ambient

 

RthJA

 

 

62

Typical thermal resistance, case to heatsink

 

RthCS

 

Mounting surface, smooth and greased

 

0.5

 

Approximate weight

 

 

2

g

0.07

oz.

 

Mounting torque

minimum

 

 

6 (5)

kgf · cm

(lbf · in)

maximum

 

 

12 (10)

 

Marking device

 

 

Case style TO-220AB

25TTS08

25TTS12

2

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