YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Transistor 2SA940 di tipo PNP ad alta affidabilità
Transistor 2SA940 di tipo PNP ad alta affidabilità
Transistor 2SA940 di tipo PNP ad alta affidabilità
Transistor 2SA940 di tipo PNP ad alta affidabilità
Transistor 2SA940 di tipo PNP ad alta affidabilità

Transistor 2SA940 di tipo PNP ad alta affidabilità

$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-2SA940

marchioYzpst

VCBO-150V

VCEO-150V

VEBO-5V

IC-1.5A

PTOT25W

Tj150℃

Tstg-55—150℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica
Scaricare :
Transistor tipi PNP ad alta affidabilità YZPST-2SA940
Descrizione del prodotto


Transistor di tipo PNP 2SA940

Desscription:
Il 2SA940 è un transistor di tipo PNP, utilizzato come tubo di alimentazione per le zampe elettroniche e lampade elettroniche a risparmio di energia. Ha le caratteristiche di bassa perdita di commutazione, alta affidabilità, buone caratteristiche ad alta temperatura, velocità di commutazione adeguata, alta tensione di rottura, bassa perdita inversa, ecc.
high reliability PNP Type Transistor 2SA940


VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-150

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-150

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Continuous Collector Current

-1.5

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

25

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Stora-1.5ge Temperature Range

-55150

Caratteristiche elettriche (TC = 25 ° C, se non diversamente specificato)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=-1mA

-150

 

 

V

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC=-1mA

-150

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE=-1mA

- 5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=-150V, IE=0

 

 

-5

μA

ICEO

Collector Cutoff Current

VCE=-150V, IC=0

 

 

-5

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB=-5V, IC=0

 

 

-5

μA

hFE

DC Current Gain

VCE=-10V, IC=-0.5A

40

 

140

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC=-0.5A, IB=-50mA

 

 

-0.85

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=-0.5A, IB=-50mA

 

 

-1.5

V

a: tp300μs,δ≤2%

Dati meccanici del pacchetto

TO220 PNP Type Transistor

苏ICP备05018286号-1
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