800 V semiconduttori scr elettronici

    Prezzo unitario: USD 0.018 - 0.022 / Piece/Pieces
    Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Quantità di ordine minimo: 1000 Piece/Pieces
    Termine di consegna: 30 giorni

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-X0206

Additional Info

Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

produttività: 10000

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: CINA

Abilità del rifornimento: 100000

Certificati : ISO9001-2015,ROHS

Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

Dispositivo a semiconduttore

YZPST-X0206

Dispositivo a semiconduttore 800V di applicazioni ● Protettore di perdite, timer e accendigas ● Regolatore di temperatura


Scr Semiconductor Device

Scr Semiconductor Device


Punteggi massimi (Ta = 25 )

Parameter

Symbol

Voltage class

Unit

-6

-8

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

600

800

V

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

600

800

V

RMS on-state current 

IT (RMS)

1.25

A

Average on-state current

IT (AV)

0.8

A

Surge on-state current  

ITSM

22.5

A

I2t for fusing    

I2t

2.5

A2s

Average gate power dissipation 

PG (AV)

0.2

W

Peak gate reverse voltage

VRGM

8

V

Peak gate forward current

IFGM

1.2

A

Junction temperature

Tj

– 40 to +125

°C

Storage temperature

Tstg

– 40 to +150

°C


caratteristiche elettriche

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test conditions

Repetitive peak reverse current

IRRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VRRM applied

Repetitive peak off-state current

IDRM

-

-

0.5

mA

Tj =125°C, VDRM applied, RGK = 1 kÙ

On-state voltage  

VTM

-

-

1.45

V

Ta =25°C, ITM =2.5A

Gate trigger voltage   

VGT

-

-

0.8

V

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Gate non-trigger voltage

VGD

0.1

-

-

V

Tj =125°C, VD = VDRM,RGK = 1 kÙ

Gate trigger current

IGT

20

-

200

μA

Tj =25°C, VD = 12 V, RL = 140Ù

Holding current

IH

-

-

5

mA

Tj =25°C, VD = 12 V,RGK = 1 kÙ

Thermal resistance   

Rth (j-a)

-

-

150

°C/W

Junction to ambient

Attiva oggetto corrente

Item

A

B

C

D

E

F

IGT (μA)

20 to 50

40 to 80

70 to 100

20 to 80

20 to 100

100 to 200


Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Immagine prodotto

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