YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo di Thyristor.> Produttore di MOSFET di potenza YZPST-IXFN64N50 500V
Produttore di MOSFET di potenza YZPST-IXFN64N50 500V
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Produttore di MOSFET di potenza YZPST-IXFN64N50 500V
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$1510-199 Bag/Bags

$12≥200Bag/Bags

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo:10 Bag/Bags
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-IXFN64N50

marchioYZPST

Descrizione del prodotto

MOSFET di potenza

YZPST-IXFN64N50

Modalità valorizzazione canale N

Valanga valutato

Diodo intrinseco veloce


YZPST-IXFN64N50-1
Parametri del prodotto
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V 
Vgs (Max)
±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8700pF @ 25V

FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
700W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC

Caratteristiche

Pacchetto standard internazionale

Incapsula epossidica incontra

UL 94V-0, classificazione di infiammabilità

miniBLOC con nitruro di alluminio

solitudine

Diodo a recupero rapido

Commutazione induttiva non bloccata (UIS)

nominale

Induttanza del pacchetto ridotta

- facile da guidare e da proteggere

vantaggi

Facile da montare

Risparmio di spazio

Densità di potenza elevata

YZPST-IXFN64N50-2YZPST-IXFN64N50-3






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