YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo di Thyristor.> Modulo MOSFET di potenza da 1000 V Modalità di miglioramento del canale N
Modulo MOSFET di potenza da 1000 V Modalità di miglioramento del canale N
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Modulo MOSFET di potenza da 1000 V Modalità di miglioramento del canale N

Modulo MOSFET di potenza da 1000 V Modalità di miglioramento del canale N

$31.520-99 Piece/Pieces

$21.5≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:T/T,L/C,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-MS38N100

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VDSS1000V

ID2538A

RDS(on)≤ 210mΩ

Trr≤ 300ns

VDGR1000V

VGSS±30V

VGSM±40V

IDM120A

TJ-55 ... +150℃

TJM150℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
Power Mosfet Module YZPST-MS38N100
Descrizione del prodotto

Mosfet di potere

Modalità di miglioramento del canale N.

Raddrizzatore intrinseco rapido

VDSS = 1000V

Id25 = 38a

RDS (ON) 210 m Ω

TRR 300ns

Caratteristiche

Pacchetto standard internazionale

Bassa resistenza alla porta intrinseca

Minibloc con isolamento di nitruro di alluminio

Induttanza a bassa pacchetto

Raddrizzatore intrinseco rapido

RDS bassi (ON) e QG

Vantaggi

Alta densità di potenza

Facile da montare

Risparmio dello spazio

Applicazioni

Convertitori DC-DC

Caricabatterie della batteria

Alimentatori in modalità interruttore e in modalità risonante

Controllo motorio CA.

Applicazione di commutazione ad alta velocità

YZPST-MS38N100 Power MOSFET


Symbol Test Conditions Maximum Ratings
VDSS TJ      = 25 to 150                                                      1000 V
                              
VDGR T    = 25 to 150, RGS  = 1MΩ 1000 V
VGSS Continuous
30
V
VGSM Transient 40 V
ID25 TC   = 25 38 A
IDM T  = 25, Pulse Width Limited by TJM 120 A
I A TC = 25 19 A
EAS TC = 25 2 J
dv/dt I    IDM , VDD  VDSS , T 150 20 V/ns
PD   = 25 1000 W
TJ -55 ... +150
TJM 150
TSTG -55 ... +150
VISOL 50/60 Hz, RMS, t = 1minute 2500 V~
I ISOL £ 1mA, t = 1s 3000 V~
MD Mounting Torque for Base Plate 1.5/13 1.3/11.5 Nm/lb.in Nm/Ib.in
Terminal Connection Torque
Weight 30 g


SOT-227B (IXFN) Schema

SOT-227B (IXFN) Outline


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苏ICP备05018286号-1
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