YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo di Thyristor.> 1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase
1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase
1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase
1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase
1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase
1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase

1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase

$3101-19 Piece/Pieces

$230≥20Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo:1 Piece/Pieces
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-KP641-16E

marchioYZPST

V RRM1600v

V DRM1600v

I T(AV)641a

I TSM9900a

I RRM30ma

I DRM30ma

V TM1.5v

Threshold Voltage V T(TO)0.99v

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica
Descrizione del prodotto

ASSEMBLAGGIO DI TIRO AD ALTA POTENZA
PER APPLICAZIONI DI CONTROLLO DI FASE
Tipo: YZPST-KP641 / 16E

CARATTERISTICHE ELETTRICHE E CLASSIFICAZIONI

Parameter

Symbol

Maximu

m Limits

Units

Conditions

Repetitive peak reverse voltage

RRM

1600

V

 

Repetitive peak off state voltage

DRM

1600

V

 

Average value of on-state current

I T(AV)

641

A

Sinewave,180 o conduction,T sink =70 

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

TSM

9900

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-shape,

180 conduction, T j = 125 

 

RRM

30

mA

Tj = 125 ℃

 

DRM

30

mA

Tj = 125 ℃

Peak on-state voltage

TM

1.5

V

Tj = 125 ℃ ITM=1000A

Threshold voltage

V T(TO)

0.99

V

T j =1 25 ℃

Slope resistance

T

0.52

T j =1 25 ℃

Average gate power dissipation

P G(AV)

3

W

 

Gate current

GT

300

mA

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = +25 ℃

Gate voltage

GT

3.5

V

V D = 6 V;R L = 3 ohms;T j = 0-125 ℃

Latching current

I L

1000

mA

V D = 24 V; R L = 12 ohms

Holding current

I H

300

mA

V D = 24 V; I = 2.5 A

Critical rate of voltage rise

dV/dt

1000

V/s

VD=2/3VDRM

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

200

A/ s

Switching from V DRM 1000 V,

non-repetitive

Operating temperature

T

-30-125

 

Storage temperature

T stg

-30-125

 

SCHEMA E DIMENSIONI DEL CASO.

YZPST-KP641-16E.jpg


Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo di Thyristor.> 1600V Gruppo tiristori ad alta potenza per controllo di fase
苏ICP备05018286号-1
Invia domanda
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Invia