YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo di Thyristor.> TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate
TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate
TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate
TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate
TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate

TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate

$5510-99 Piece/Pieces

$43≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-TT320N16SOF

marchioYzpst

IT(AV)M320A

ITRMSM520A

ITSM8.2kA

I2t335kA2S

VDRM/VRRM1600V

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Scaricare :
MODULO TIRISTOR CONTROLLO PASA YZPST-TT320N16SOF
Descrizione del prodotto
Moduli a doppio tiristore
Tipo: YZPST-TT320N16SOF
Caratteristiche
· Trasferimento di calore tramite piastra di base in metallo in ceramica a nitruro di alluminio
· Contatti preziosi di pressione metallica per alta affidabilità
· Tiristore con cancello di amplificazione
Applicazioni tipiche
· Controllo del motore CC
· Controllo della temperatura

· Dimmio alla luce professionale

Valutazioni massime

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IT(AV)M

Single phase half wave sin 180° conduction ;TC=85°C

320

A

ITRMSM

Single phase half wave sin 180° conduction

520

A

ITSM

Tj= Tj MAX

8.2

kA

I2t

Tj= Tj MAX

335

kA2S

VDRM/VRRM

Tj= Tj MAX

1600

V

di/dt

non-repetitive

100

A/us

Viso

A.C. 1minute/1S

3000/3600

V

Tj

 

-40   ~    + 130

°C

Tstg

 

-40   ~    + 130

°C

W

About

410

g

Caratteristiche elettriche

Symbol

Condition

Ratings

Unit

IDRM /IRRM

AtVDRM Single phase half wave Tj= Tj MAX

60

A

VTM

On-State Current 750A Tj=130°C

1.47

V

VT(TO)

Tj= Tj MAX

0.77

V

T

Tj= Tj MAX

0.58

Ω

RK1G1

 

-

Ω

RK2G2

 

-

Ω

tgd

Tj=25°C;VD=0.4VDRM ; ITM=ITAV

2

us

tq

dvD/dt=50V/us; Tj= Tj MAX; ITM=ITAV

200

us

IGT/VGT

Tj=25°C IT=1A VD=6V

150 / 2.0

mA/V

VGD

VD=67%VDRM

0.25

V

DV/DT

VD=67%VDRM

1000

V/us

IH

Tj=25°C

150

A

IL

Tj=25°C

380

A

Rth(j-c)

Thermal resistance Junction to case; per module

0.055

K/W

Rth(c-h)

Thermal resistance case to heatsink; per module

0.0275

K/W

Disegno del contorno
YZPST-TT320N16SOF-1

Casa> Elenco prodotti> Dispositivi del modulo a semiconduttore> Modulo di Thyristor.> TT320N16SOF Dual Thyristor Modules Thyristor with amplifying gate
苏ICP备05018286号-1
Invia domanda
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Invia