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Accendisigari elettronico 85A Mosfet Load 85N03
Accendisigari elettronico 85A Mosfet Load 85N03

Accendisigari elettronico 85A Mosfet Load 85N03

Prezzo unitario: USD 0.299 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 1000 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-85N03

    Tipo: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 500

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Accendisigari elettronico Mosfet

YZPST-85N03

85A Accendisigari elettronico Mosfet Load Switch Mosfet 85N03

VDSS30V

RDS(ON) 2.3mΩ(max.)@ VGS=10V

RDS(ON) 3.0mΩ(max.)@ VGS=4.5V

ID 85A

 

 

 

 

 

 

Description

DFN5X6-8L

YZPST85N03 uses advanced Trench technology and designs to provide excellent RDS(ONwith low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications.

 

Applications

Features

Lithium-Ion Secondary Batteries

Load Switch

DC-DC converters and Off-line UPS

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Low Miller Charge

Low Input / Output Leakage


  Absolute Maximum Ratings (TA=25°C unless otherwise noted)                                                         

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

VDSS

30V

V

Gate-Source Voltage

VGSS

±20V

V

Drain Current-Continuous @ TC=25 NOTE 3

 

ID

85

A

Drain Current-Continuous @ TC=100 NOTE 3

68

A

Drain Current-Pulsed NOTE 1

IDM

320

A

Avalanche Current, L=0.1mH

IAS

50

A

Avalanche Energy, L=0.1mH

EAS

125

mJ

Maximum Power Dissipation @ TC=25

 

PD

60

W

Maximum Power Dissipation @ TA=25

5.7

W

Storage Temperature Range

TSTG

-50 to 150°C

°C

Operating Junction Temperature Range

TJ

-50 to 150°C

°C

  Thermal Resistance Ratings                                                                                                                    

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

Maximum Junction-to-Ambient NOTE2

RθJA

Steady State

-

-

22

°C/W

Maximum Junction-to-Case

RθJC

Steady State

-

-

2.1

°C/W

  Electrical Characteristics(TJ=25°C unless otherwise noted)                                                              

Parameter

Symbol

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

BVDSS

VGS=0V , IDS=250uA

30

-

-

V

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=30V, VGS=0V

-

-

1

uA

Gate-Source Leakage Current

IGSS

VGS=±20V , VDS=0V

-

-

±100

nA

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

VGS(TH)

VGS=VDS, IDS=250uA

1.2

-

2.5

V

 

Drain-Source On-Resistance

 

RDS(ON)

VGS=10V , IDS=16A

-

1.75

2.3

 

mΩ

VGS=4.5V , IDS=16A

-

2.6

3.0

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input Capacitance

Ciss

 

 

VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz

-

5910

-

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

-

725

-

Reverse Transfer Capacitance

Crss

-

537

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Td(on)

 

 

VDS=15V, VGS=10V, ID=1A , RGEM=3.3Ω

-

20

-

 

ns

Rise Time

tr

-

6.5

-

Turn-Off Delay Time

Td(off)

-

122

-

Fall Time

tf

-

15

-

Total Gate Charge at 4.5V

Qg

 

 

VDS=15V, IDS=16A, VGS=10V

-

54

-

 

 

nC

Gate to Source Gate Charge

Qgs

-

18

-

Gate to Drain "Miller" Charge

Qgd

-

20.5

-

SWITCHING CHARACTERISTICS

Drain-Source Diode Forward Voltage

VSD

VGS=0V, IS=4A

-

-

1.3

V

Body Diode Reverse Recovery Time

trr

If=10A, dl/dt=100A/μs, TJ=25°C

-

46

-

ns

Body Diode Reverse Recovery Charge

Qrr

-

38

-

nC

Gli appunti:

1. Test degli impulsi: larghezza dell'impulso ≦ 300μs, ciclo di lavoro ≦ 2%.

2. RΘJA è la somma della resistenza termica da giunzione a caso e da caso a ambiente in cui il riferimento termico del caso è definito come la superficie di montaggio della saldatura dei perni di drenaggio. RΘJC è garantito dalla progettazione mentre RΘCA è determinato dal design della scheda dell'utente. RΘJA mostrato di seguito per il funzionamento di un singolo dispositivo su FR-4 in

ancora aria.

3. La massima corrente nominale è limitata dal pacchetto.


Mosfet 85N03 (1)Mosfet 85N03 (2)Mosfet 85N03 (3)Mosfet 85N03 (4)



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