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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Potenza mosfet smd 110v STC2326
Potenza mosfet smd 110v STC2326

Potenza mosfet smd 110v STC2326

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-STC2326

Additional Info

    produttività: 1000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 10000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

B Triac serie TA30

YZPST-STC2326

DESCRIZIONE


L'STC2326 è il transistor a effetto di campo di potenza in modalità di ottimizzazione logica N-Channel prodotto con tecnologia DMOS ad altissima densità cellulare. L'STC2326 è stato progettato specificamente per migliorare l'efficienza complessiva dei convertitori CC / CC utilizzando i controller PWM di commutazione sincroni o convenzionali. È stato ottimizzato per la bassa carica del gate, basso RDS (ON) e velocità di commutazione rapida.

APPLICAZIONI


Sistema alimentato

Convertitore DC / DC

Interruttore di carico


CARATTERISTICHE

110V / 3A, RDS (ON) = 310mΩ @ VGS = 10V

Design a celle ad alta densità per RDS estremamente basso (ON)

Eccezionale resistenza alla corrente e massima corrente continua

Design della confezione SOT-23-6L


CONFIGURAZIONE PIN (SOT-23-6L)

mosfet STC2326 (1)

Pin

Symbol

Description

1

D

Drain

2

D

Drain

3

G

Gate

4

S

Source

5

D

Drain

6

D

Drain

O RDER ING IN F O R M A T I O N

Part Number

Package

Part   Marking

SPN2326S26RGB

SOT-23-6L

26YW

A B SOU L T E MA X I M U M R A T IN G S ( T A = 25 ℃ U n l e s s O T E R w i s e n o t d )

Parameter

Symbol

Typical

Unit

 

Drain-Source Voltage

 

VDSS

 

110

 

V

Gate Source Voltage

 

VGSS

 

±20

 

V

 

Continuous Drain Current(TJ=150℃)

TA=25℃

 

ID

3.0

 

A

TA=70℃

2.0

 

Pulsed Drain Current

 

IDM

 

10

 

A

 

Power Dissipation

TA=25℃

 

PD

2.0

 

W

TA=70℃

1.3

 

Operating Junction Temperature

 

TJ

 

-55/150

Storage Temperature Range

TSTG

-55/150

Thermal Resistance-Junction to Ambient

RθJA

62.5

/W

 

Parameter

 

Symbol

 

Conditions

 

Min.

 

Typ

 

Max.

 

Unit

Static

Drain-Source Breakdown Voltage

V(BR)DSS

VGS=0V,ID=250uA

110

 

 

V

Gate Threshold Voltage

VGS(th)

VDS=VGS,ID=250uA

1

2.0

2.5

Gate Leakage Current

IGSS

VDS=0V,VGS=±20V

 

 

±100

nA

Zero Gate Voltage Drain Current

IDSS

VDS=80V,VGS=0V

 

 

1

uA

VDS=80V,VGS=0V TJ=125

 

 

 

5

On-State Drain Current

ID(on)

VDS5V,VGS =10V

3.0

 

 

A

Drain-Source On-Resistance

RDS(on)

VGS= 10V,ID=3A

 

0.26

0.31

Ω

Forward Transconductance

gfs

VDS=10V,ID=3A

 

2.4

 

S

Diode Forward Voltage

VSD

IS=1A,VGS =0V

 

 

1.2

V

Dynamic

Total Gate Charge

Qg

VDS=80V,VGS=10V ID= 5A

 

9

13

 

nC

Gate-Source Charge

Qgs

 

2

 

Gate-Drain Charge

Qgd

 

1.4

 

Input Capacitance

Ciss

VDS=25,VGS=0V

f=1MHz

 

508

 

 

pF

Output Capacitance

Coss

 

29

 

Reverse Transfer Capacitance

Crss

 

16.5

 

Turn-On Time

td(on)

 

VDD=50V,RL=10Ω

ID=3A,VGEN=10V RG=3.3Ω

 

2

 

 

nS

tr

 

21.5

 

 

Turn-Off Time

td(off)

 

11.2

 

tf

 

18.8

 

mosfet STC2326 (2)mosfet STC2326 (3)


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