YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Transistor di silicio> Provincia di transistor di potenza al silicio come transistor
Provincia di transistor di potenza al silicio come transistor
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Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-2N6547

marchioYZPST

Descrizione del prodotto

Transistor al silicio di potenza NPN

YZPST-2N6547

DESCRIZIONE

Silicon NPN, transistor ad alta potenza in un involucro di plastica, principalmente per l'uso in circuiti di commutazione di potenza ad alta velocità.



VALORI MASSIMI ASSOLUTI (Ta = 25 OC)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-Base Voltage

VCBO

850

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

VCEO

 

400

 

V

Emitter-Base Voltage

VEBO

9.0

V

Collector Current

IC

15

A

Base Current

IB

10

A

Total Dissipation at

Ptot

175

W

 

Max. Operating Junction Temperature

Tj

120

oC

 

Storage Temperature

 

Tstg

 

-55~150

 

oC

2N6547 Transistor (1)2N6547 Transistor (2)








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