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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Home > Elenco prodotti > Pacchetto di plastica a semiconduttore > Transistor al silicio > Convertitore CC-CA TO-247 Transistori NPN complementari

Convertitore CC-CA TO-247 Transistori NPN complementari
Convertitore CC-CA TO-247 Transistori NPN complementari

Convertitore CC-CA TO-247 Transistori NPN complementari

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-2SDW100

    Certificazione: RoHS, CE

    Struttura dell'incapsulamento: Transistor sigillato in plastica

Additional Info

    produttività: 1000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 10000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Transistor Darlington di potenza complementare

YZPST-2SDW100

Caratteristiche


■ Transistori NPN - PNP complementari

■ Configurazione monolitica di Darlington



applicazioni


■ Amplificatore di potenza audio

■ Convertitore DC-AC

■ Azionamento del motore CC a bassa tensione

■ Applicazioni di commutazione di uso generale


Descrizione


I dispositivi sono realizzati in tecnologia planare con layout [isola base "e configurazione monolitica Darlington.





T a b le 1 . D e v i c e s ummario

Order code

Marking

Package

Packaging

2SDW100

2SDW100

TO-247

Tube

2SDW200

2SDW200


1 assoluto maxi m un giudizi

T a b le 2 . Ab s o l ut e m a x i m u m ra ti ng

 

Symbol

 

Parameter

Value

 

Unit

NPN

2SDW100

PNP

2SDW200

VCBO

Collector-emitter voltage (IE = 0)

80

V

VCEO

Collector-emitter voltage (IB = 0)

80

V

IC

Collector current

25

A

ICM

Collector peak current (tP < 5 ms)

40

A

IB

Base current

6

A

IBM

Base peak current (tP < 5 ms)

10

A

PTOT

Total dissipation at Tc 25 °C

130

W

TSTG

Storage temperature

-65 to 150

°C

TJ

Max. operating junction temperature

150

°C


No t e : F o PN P ty p e v olo t un ge e nd c u r r e nt V AL U e s a r e n e g a ti v e


T a b le 3 . T herm al d a ta

Symbol

Parameter

Value

Unit

RthJC

Thermal resistance junction-case max

0.96

°C/W


2 elettrico c h aratteristiche

T ca s e = 2 5 ° C; salvo che altri ise w spe c ified.

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A



T a b le 4 . E l e c tr i c al c h a ra c t e r i s t i cs

Symbol

Parameter

Test conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

 

ICBO

Collector cut-off current

(IE = 0)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

ICEV

Collector cut-off current

(VBE = - 0.3 V)

 

VCE = 80 V

 

 

 

0.1

 

mA

 

ICEO

Collector cut-off current

(IB = 0)

 

VCE = 60 V

 

 

 

0.5

 

mA

 

IEBO

Emitter cut-off current

(IC = 0)

 

VEB = 5 V

 

 

 

2

 

mA

VCEO(sus) (1)

Collector-emitter sustaining voltage (IB = 0)

 

IC = 50 mA

 

80

 

 

 

V

 

VCE(sat)(1)

 

Collector-emitter saturation voltage

IC = 5 A      IB = 20 mA IC = 10 A    IB = 40 mA IC = 20 A    IB = 80 mA

 

 

1.2

1.75

3.5

V V V

 

VBE(sat)(1)

Base-emitter saturation voltage

 

C                   B

 

 

 

3.3

 

V

(1)

Base-emitter voltage

I  = 10 A  V     = 3 V

1

 

3

V

 

hFE(1)

 

DC current gain

IC = 5 A      VCE = 3 V IC = 10 A    VCE = 3 V IC = 20 A    VCE = 3 V

600

500

300

 

15000

12000

6000

 

VF(1)

Diode forward voltage

IF = 10 A

 

TBD

 

V

 

Is/b

Second breakdown current

 

VCE = 25 V   t = 500 ms

 

 

TBD

 

 

A

1. Test dell'impulso: durata dell'impulso ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2%.

Per i valori di tensione e corrente di tipo PNP sono negativi.



TO- 2 4 7 M e ch a ni c a l dati

 

Dim.

mm.

Min.

Typ

Max.

A

4.85

 

5.15

A1

2.20

 

2.60

b

1.0

 

1.40

b1

2.0

 

2.40

b2

3.0

 

3.40

c

0.40

 

0.80

D

19.85

 

20.15

E

15.45

 

15.75

e

 

5.45

 

L

14.20

 

14.80

L1

3.70

 

4.30

L2

 

18.50

 

øP

3.55

 

3.65

øR

4.50

 

5.50

S

 

5.50

 

transistors 2SDW100 1transistors 2SDW100



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