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Tiristore promozionale ad alta potenza per il controllo di fase

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    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Termine di consegna: 30 giorni

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-R219CH12FN0

Additional Info

produttività: 100

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: Cina

Abilità del rifornimento: 500

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85413000

Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto


Tiristore ad alta potenza per il controllo di fase

YZPST-R219CH12FN0

Caratteristiche:

. Tempo massimo di spegnimento garantito

. Tutta la struttura diffusa

. Dispositivo assemblato a pressione

. Configurazione amplificata del gate amplificato

. Elevata capacità dV / dt


CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

Blocco - Off State


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Tensione inversa del picco ripetitivo

V DRM = Voltaggio dello stato di picco ripetitivo off

V RSM = tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Gli appunti:

Tutti i valori nominali sono specificati per Tj = 25 o C salvo diversa indicazione.

(1) Tutti i valori di tensione sono specificati per un applicato

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 o C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 o C.

(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale all'80% V DRM nominale. Cancello aperto. Tj = 125 o C.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in accordo con EIA / NIMA standard RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito più basso, comprendente un condensatore da 0,2 m F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il thristor sotto test.

Conducendo - su stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Immagini dettagliate



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

Elenco prodotti : Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Trifase di controllo di fase

Immagine prodotto

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