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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristore promozionale ad alta potenza per controllo di fase
Tiristore promozionale ad alta potenza per controllo di fase
Tiristore promozionale ad alta potenza per controllo di fase

Tiristore promozionale ad alta potenza per controllo di fase

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-R219CH12FN0

Additional Info

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 500

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto


Tiristore ad alta potenza per controllo di fase

YZPST-R219CH12FN0

Caratteristiche:

.Tempo di spegnimento massimo garantito

. Tutta la struttura diffusa

. Dispositivo assemblato a pressione

.Interdigitated Amplifying Gate Configuration

. Alta capacità dV / dt


CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

Blocco - Stato spento


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Tensione inversa di picco ripetitiva

V DRM = Tensione ripetitiva di picco disattivata

V RSM = Tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Appunti:

Tutti i rating sono specificati per Tj = 25 o C se non diversamente indicato.

(1) Tutte le tensioni nominali sono specificate per un'applicazione

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 o C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 o C.

(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale fino all'80% del valore nominale V DRM . Cancello aperto. Tj = 125 o C.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in conformità con standard EIA / NIMA RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito ubber, comprendente un condensatore da 0,2 m F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il thristor in prova.

Conduzione - sullo stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Immagini dettagliate



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

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Fax:86-514-87782297

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