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Tiristore promozionale ad alta potenza per il controllo di fase
Tiristore promozionale ad alta potenza per il controllo di fase
Tiristore promozionale ad alta potenza per il controllo di fase
Tiristore promozionale ad alta potenza per il controllo di fase
Tiristore promozionale ad alta potenza per il controllo di fase

Tiristore promozionale ad alta potenza per il controllo di fase

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-R219CH12FN0

Additional Info

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 500

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto


Tiristore ad alta potenza per il controllo di fase

YZPST-R219CH12FN0

Caratteristiche:

. Tempo massimo di spegnimento garantito

. Tutta la struttura diffusa

. Dispositivo assemblato a pressione

. Configurazione amplificata del gate amplificato

. Elevata capacità dV / dt


CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

Blocco - Off State


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V RRM = Tensione inversa del picco ripetitivo

V DRM = Voltaggio dello stato di picco ripetitivo off

V RSM = tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec





Gli appunti:

Tutti i valori nominali sono specificati per Tj = 25 o C salvo diversa indicazione.

(1) Tutti i valori di tensione sono specificati per un applicato

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 o C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 o C.

(4) Valore minimo per forma d'onda lineare ed esponenziale all'80% V DRM nominale. Cancello aperto. Tj = 125 o C.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in accordo con EIA / NIMA standard RS-397, sezione 5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta a quello ottenuto da un circuito più basso, comprendente un condensatore da 0,2 m F e una resistenza di 20 ohm in parallelo con il thristor sotto test.

Conducendo - su stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

10

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us


Immagini dettagliate



Phase Control Thyristor YZPST-R219CH12FN0

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