Comunicare con Fornitore? Fornitore
John chang Mr. John chang
Cosa posso fare per te?
Chatta adesso Contattare il Fornitore

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Elenco prodotti

Home > Elenco prodotti > Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Trifase di controllo di fase > Specifica del tiristore 400a di controllo di fase

Specifica del tiristore 400a di controllo di fase

Specifica del tiristore 400a di controllo di fase

Tipo di pagamento: L/C,T/T,D/P
Incoterm: FOB,CFR,FCA
Termine di consegna: 30 giorni
Scaricare:

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-KP400A1800V

Additional Info

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 1000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Tiristori per controllo di fase

YZPST-KP400A1800V

Thyristors di controllo di fase è



Il circuito di trigger di fase è in realtà una sorta di circuito di trigger ac. Il metodo di questo circuito è quello di utilizzare il circuito RC per controllare la fase del segnale di trigger.


Thyristor

Ratings

Symbol

Definition

Conditions

 

min.

typ.

max.

Unit

V EQ \F(RSM,DSM)

max. non-repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1900

V

V EQ \F(RRM,DRM)

max. repetitive reverse/forward blocking voltage

TJ = 25°C

 

 

1800

V

VT

On-state voltage

IT=1100 A

TJ = 25°C

 

 

1.85

V

IT(AV)

average forward current

TC=25°C

 

 

 

400

A

IT(RMS)

RMS forward current

180° sine

 

 

 

530

A

RthJC

thermal resistance junction to case

 

 

 

 

 

K/W

RthCH

thermal resistance case to heatsink

 

 

 

 

 

K/W

RthJK

thermal resistance junction to heatsink

 

 

 

 

0.048

K/W

ITSM

max. forward surge current

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

6.3

kA

I²t

value for fusing

t = 10 ms; (50 Hz), sine

TJ = 25°C

 

 

198

kA²s

di/dt

Rate of rise of on-state current

TJ = 125°C; f = 50 Hz

tP=200µs;diG/dt=0.15A/µs;

IG=0.15A;VD= ⅔VDRM

repetitive

 

 

160

A/µs

non-repet

 

 

320

A/µs

dv/dt

Maximum linear rate of rise of off-state voltage

VD= ⅔VDRM

RGK =∞; method 1 (linear voltage rise)

TJ = 125°C

 

 

1000

V/µs

VGT

gate trigger voltage

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

2.5

V

IGT

gate trigger current

VD = 6V

TJ = 25°C

 

 

250

mA

IL

latching current

 

TJ = 25°C

 

 

 

A

IH

holding current

 

TJ = 25°C

 

 

300

mA

tgd

gate controlled delay time

 

TJ = 25°C

 

 

2.5

µs

tq

Turn-off time

VR=10 V; IT=20A; VD=⅔VDRM

TJ = 150°C

 

200

400

µs

Tstg

storage temperature

 

 

-60

 

125

°C

TJ

virtual junction temperature

 

 

-60

 

120

°C

Wt

Weight

 

 

 

 

 

g

F

mounting force

 

 

9

 

11

kN

Disegno di contorno

Thyristor 400a 1800v


Elenco prodotti : Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Trifase di controllo di fase

Invia domanda

John chang

Mr. John chang

E-mail:

info@yzpst.com

Invia domanda

Numero Di Telefono:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Mobile:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail:info@yzpst.com

Azienda Indirizzo: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1