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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Controllo di fase a tiristori ad alta potenza
Controllo di fase a tiristori ad alta potenza
Controllo di fase a tiristori ad alta potenza

Controllo di fase a tiristori ad alta potenza

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-KP738LT

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 500

    Certificati : ISO9001-2008

    Codice SA: 85413000

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

Controllo di fase a tiristori ad alta potenza

PST-KP 738LT

KP738LT thyristor


Caratteristiche: . Tutta la struttura diffusa . Configurazione lineare del gate di amplificazione . Capacità di blocco fino a 22 00 volt

. Tempo massimo di consegna garantito . Elevata capacità dV / dt . Dispositivo assemblato a pressione


Conducendo - su stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  3200


A

Sinewave,180o conduction,Ths=85oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

45000


41500

 

A


A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

8.5x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     400

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     100

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM


     1.30


V

ITM = 2000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt


      150


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt


      100


A/ms

Switching from VDRM£ 1000 V


CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200


W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W


Peak gate current

IGM

 

15

 

A


Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units



VGT

 

 

0.30

5

4


 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM


15


V



Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

    3.0

2.5

ms

ITM = 50 A; VD = 1500 V

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

     400


250

ms

ITM > 2000 A; di/dt = 10 A/ms;

VR³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cpstcle ³ 0.01%

Reverse recovery current

Irr

 

      200


A

ITM > 2000 A; di/dt = 10 A/ms;

VR³ -50 V


CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI TERMICHE E MECCANICHE

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125


oC


Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC


Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)


0.012


 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)


0.002


 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

 8000

 35.5

10000

44.4

 

lb.

kN


Weight

W



  3.5

1.60

Lb.

Kg.


* Le superfici di montaggio sono lisce, piatte e unte

Nota: per il contorno e le dimensioni del caso, vedere il disegno di un caso nella pagina 3 di questo Dati tecnici


SCHEMA DEL CASO E DIMENSIONI

High Power Thyristor Phase Control PST-KP738LT

 High power thyristor phase control

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