Transistor di silicio

Transistor Mosfet da 100V N-Cannel Super Gate Trench Transistor

USD 0.28 ~ USD 0.35

Mosfet di potenza di trincea Super Gate da 100 V Super Gate P/N: YZPST-SS044N10AP CARATTERISTICHE Mosfet di Power Super Trenchfet® L100% Avalanche testata Capacità DV/DT migliorata Applicazioni Interruttore laterale primario Altre applicazioni...

1700v M1A045170L MOSFET di potenza in carburo di silicio TO-247-4L

USD 31 ~ USD 39

P/N: YZPST-M1A045170L Mosfet di potenza in carburo di silicio (N Modalità di miglioramento del canale) Caratteristiche Commutazione ad alta velocità con basse capacità Alta tensione di blocco con bassa resistenza Facile da parallelo e semplice da...

Commutazione rapida a 263 7N90A0 MOSFET di potenza N-canale silicio

USD 0.35 ~ USD 0.45

Mosfet di potenza N-canale del silicio P/N: YZPST-7N90A0 Descrizione generale: YZPST-7N90A0 I VDMOSFET migliorati dal silicio N-canale, è ottenuto dalla tecnologia planare autoallineata che riduce la perdita di conduzione, migliorano le prestazioni...

Commutazione rapida Mosfet di potenza N-channel da 500 V

USD 0.19 ~ USD 0.25

P/N: YZPST-SP13N50KF Mosfet di potenza a canale N 500v CARATTERISTICHE Commutazione rapida 100% di valanga testata Capacità DV/DT migliorata Applicazioni Switch Modal Alimentatore (SMPS) Alimentazione ininterruttuabile (UPS) Correzione del fattore...

Tensione di blocco elevato M1A080120L1 TO-247-4 N-Canale SIC Power Mosfet

USD 4.2 ~ USD 4.5

Mosfet di potenza SiC di N-Canale P/N: YZPST-M1A080120L1 Caratteristiche Alta tensione di blocco con bassa resistenza Commutazione ad alta velocità con bassa capacità Facile da parallelo e semplice da guidare Benefici Maggiore efficienza del sistema...

TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16

USD 0.02 ~ USD 0.03

Transistor al silicio PNP YZPST-BD140-16 TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16 DESCRIZIONE Il BD140-16 è Transistor PNP planari epitassiali di silicio Nel pacchetto di...

USD 0.06 ~ USD 0.08

2SC5200 NPN Transistor complementare a 2SA1943 TO-3PL

USD 1.15 ~ USD 1.5

Transistor 2SC5200 di tipo NPN 1.Outline 2SC5200 è il transistor di tipo NPN, complementare a 2SA1943, utilizzato nei circuiti di amplificazione audio di potenza e di conversione della potenza. Modulo di imballaggio: TO-3PL 2. Caratteristiche...

USD 0.02 ~ USD 0.03

TO-220F 2SA1930 SILICON PNP Transistor High FT Coppia complementare con 2SC5171

USD 0.65 ~ USD 0.95

Transistor PNP di silicio in un pacchetto di plastica TO-220F. P/N: YZPST-2SA1930 Transistor PNP di silicio in un pacchetto di plastica TO-220F. Caratteristiche FT alto, coppia complementare con 2SC5171. TO-220F 2SA1930 SILICON PNP Transistor High...

SS8550 TO-92 Transistor incapsulati in plastica NPN

USD 8 ~ USD 9.5

Transistor incapsulanti in plastica Transistor YZPST-SS8550 (PNP) Caratteristiche Dissipazione di potenza PC: 1W (TA = 25 ℃) O rder i ng I nf o rmat i o n Max 1 mamma Ratto 1 ngs ( T a = 25 ℃ a meno che altrimenti notato ) T a = 25 ℃ se non...

650V 100A Trench-Stop Technology IGBT

USD 3.5 ~ USD 4.5

Trincea Tecnologia di campo IGBT YZPST-D100H065AT1S3 Caratteristiche 650V, 100a VCE (sat) (tip.) =1.75v@vge=15v, ic = 100a Temperatura di giunzione massima 175 Placcatura di piombo senza PB; A norma RoHS Applicazioni Convertitori solari...

BC556 BC557 BC558 TO-92 Transistor-incapsulato in plastica NPN

USD 7.2 ~ USD 8.8

Transistor incapsulanti in plastica Transistor YZPST-BC556 / BC557 / BC558 (PNP) CARATTERISTICHE Alta tensione Complemento a BC546, BC547, BC548 Ordinamento INFORMAZIONE MASSIMO Valutazioni ( t a = 25 τ a meno che Altrimenti notato ) T a = 25 τ a...

S9013 TO-92 Transistor NPN complementare a S9012

USD 8.1 ~ USD 9.5

Transistor incapsulanti in plastica Transistor YZPST-S9013 (NPN) CARATTERISTICHE Complementare a S9012 Eccellente linearità HFE INFORMAZIONI SULL'ORDINE Valutazioni massime (TA = 25 ℃ se non diversamente indicato) T a = 25 ℃ se non diversamente...

Transistor NPN BC556 BC557 BC557 BC558 BC558 BC558 BC558 BC558.

USD 7.2 ~ USD 8.8

Transistor incapsulanti in plastica YZPST-BC546 / BC547 / BC548 Transistor (NPN) CARATTERISTICHE Alta tensione Complemento a BC556, BC557, BC558 Ordinamento INFORMAZIONE MASSIMO Valutazioni ( t a = 25 τ a meno che Altrimenti notato ) T a = 25 τ a...

TO-92 Transistor Transistor Transistor PNP 2N3906 transistor in plastica

USD 6.9 ~ USD 8.5

Transistor incapsulanti in plastica Transistor YZPST-2N3904 (NPN) CARATTERISTICA Transistor planare epitassiale di silicio NPN per la commutazione e Applicazioni di amplificatore Come tipo complementare, il transistor PNP 2N3906 è Consigliato Questo...

Silicon PNP Darlington Power Transistor

USD 0.55 ~ USD 0.72

Silicon PNP Darlington Power Transistor YZPST-FW26025A Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIZIONE · Guadagno di corrente CC elevato- : hfe = 5000 (min)@ ic = -2a · Tensione di sostegno al collettore-emettitore- : VCEO (SUS) = -100V (min) ·...

600V Trench Field-Stop Technology IGBT 6A

USD 0.28 ~ USD 0.33

Tecnologia Field-Stop di trincea IGBT YZPST-6H60CX1G3 Caratteristiche 600V, 6A V CE(sat)(tip.) = 1,75V@ V GE =15V, io C =6A Q basso g Temperatura massima di giunzione 175 ℃ Placcatura al piombo senza Pb; RoHS Conforme Applicazioni Convertitori...

Commutazione ad alta velocità 600V 15A IGBT TO-220F

USD 0.48 ~ USD 0.68

Caratteristiche 600V, 15A V CE(sat)(tip.) =1.8V@V GE =15V,I C =15A Alta velocità commutazione Sistema superiore efficienza Spegnimento con corrente dolce forme d'onda Quadrato RBSOA Descrizione generale Gli IGBT a trincea YZPST offrono perdite...

transistor di potenza al silicio complementari 2N3055 / MJ2955

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transistor di potenza al silicio complementari 2N3055 / MJ2955 DESCRIZIONE Il 2N3055 è un transistor NPN planare a base epitassiale al silicio montato in una custodia metallica Jedec TO-3. È destinato a circuiti di commutazione di potenza,...

Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione

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Transistor in plastica incapsulati BFR93A ad alta frequenza di transizione Transistor incapsulati in plastica YZPST-BFR93A Caratteristiche 1. Alta frequenza di transizione (Typ.f T = 1.5GHz) 2. Small rbb`Cc e high guadagnare. (Typ.4ps) 3. Piccolo...

Transistor transitorio a bassa tapacitanza serie SMC 1500W

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Transitorio a bassa capacità da 1500 W serie SMC Soppressore di tensione YZPST-SMCJ (G) LCE7.5A-TVS Descrizione del prodotto DESCRIZIONE: Questa famiglia di prodotti TVS (Transient Voltage Soppressor) a montaggio superficiale ad alta affidabilità...

Transistor di potenza a bassa tensione per uso generale BD139

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Transistor complementare a bassa tensione YZPST-BD139 Caratteristiche ■ I prodotti sono preselezionati nel guadagno di corrente CC Applicazione ■ Scopo generale Descrizione Questi transistor planari epitassiali sono montati nel pacchetto di plastica...

Accendisigari elettronico 85A Mosfet Load 85N03

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Accendisigari elettronico Mosfet YZPST-85N03 85A Accendisigari elettronico Mosfet Load Switch Mosfet 85N03 Gli appunti: 1. Test degli impulsi: larghezza dell'impulso ≦ 300μs, ciclo di lavoro ≦ 2%. 2. RΘJA è la somma della resistenza termica da...