$0.0310000-99999 Piece/Pieces
$0.02≥100000Piece/Pieces
| Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Trasporti: | Ocean,Land,Others |
| Porta: | SHANGHAI |
Ombra:
Modello: YZPST-BD140-16
marchio: Yzpst
Applicazione: Microfono, Non applicabile
Tipo Di Fornitura: Produttore originale, ODM, altro
Materiali Di Riferimento: scheda dati, Foto, altro
Tipo Di Pacchetto: Montaggio superficiale
Metodo Di Installazione: Attraverso il foro, Non applicabile
Funzione FET: Non applicabile
Configurazione: Non applicabile
VCBO: -80V
VCEO: -80V
VEBO: -5V
IC: -1.5A
IB: -0.5A
Ptot: 12.5W
Tj: 150℃
Tstg: -55~150℃
| Unità vendibili | : | Piece/Pieces |
| Tipo pacchetto | : | 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia |
| Scaricare | : |
|
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Transistor al silicio PNP
YZPST-BD140-16
TO-126 BD140-16 è il silicio Transistor PNP epitassiali PNP Transistor I tipi NPN complementari sono il BD139-16
DESCRIZIONE
Il BD140-16 è Transistor PNP planari epitassiali di silicio
Nel pacchetto di plastica JEDEC TO-126, progettato per l'audio
amplificatori e driver che utilizzano complementari o quasi
Circuiti complementari.
I tipi NPN complementari sono il BD139-16
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE ( Ta = 25 o c)
|
Parameter |
Symbol |
Value |
Unit |
|
Collector-Base Voltage |
VCBO |
-80 |
V |
|
Collector-Emitter Voltage |
VCEO |
-80 |
V |
|
Emitter-Base Voltage |
VEBO |
-5.0 |
V |
|
Collector Current |
IC |
-1.5 |
A |
|
Base Current |
IB |
-0.5 |
A |
|
Total Dissipation at |
Ptot |
12.5 |
W |
|
Max. Operating Junction Temperature |
Tj |
150 |
oC |
|
Storage Temperature |
Tstg |
-55~150 |
oC |
Caratteristiche elettriche (TA = 25 o c)
| Parameter | Symbol | Test Conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Collector Cut-off Current | ICBO | VCB = -80V, IE = 0 | -10 | μA | ||
| — | — | |||||
| Emitter Cut-off Current | IEBO | |||||
| VEB = -5.0V, IC = 0 | -10 | μA | ||||
| VCEO | ||||||
| Collector-Emitter Sustaining Voltage | IC = -1.0mA, IB = 0 | -80 | — | — | V | |
| VCE = -2.0V, IC = -0.15A | 100 | 250 | ||||
| DC Current Gain | hFE | |||||
| VCE = -2.0V, IC = -0.5A | 100 | — | — | |||
| VCE(sat) | ||||||
| Collector-Emitter Saturation Voltage | IC = -0.5A, IB = -0.05A | -0.5 | V | |||
| VBE | ||||||
| Base-Emitter Voltage | IC = -0.5A, VCE = -2.0V | -1 | V | |||
| fT | ||||||
| Transition Frequency | VCE = -5.0V,IC = -50mA | 80 | MHz |
Numero Di Telefono: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
Azienda Indirizzo: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
sito web: https://it.yzpst.com
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