YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Transistor di potenza in silicio NPN MJE2955T complementari a MJE3055T
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$0.122000-9999 Piece/Pieces

$0.08≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Air
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-MJE2955T

marchioYzpst

VCBO-70V

VCEO-60V

VEBO-5V

IC-10A

PTOT75W

Tj150℃

Tstg-55-150℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Box cartone 3. Packaging protettivo in plastica
Scaricare :
YZPST-MJE2955T NPN Silicon Power Transistor MJE29
Descrizione del prodotto


PNP Silicon Power Transistor MJE2955T

Desscription:
MJE2955T è un transistor PNP, che è complementare a MJE3055T e viene utilizzato nei circuiti di amplificazione audio di potenza e conversione di potenza.

Modulo di pacchetto: TO-220

TO220 Silicon Power Transistors MJE2955T

Symbol

Parameter

Value

Unit

VCBO

Collector-Base Voltage

-70

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

-60

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

-5

V

IC

Continuous Collector Current

-10

A

PTOT

Total dissipation at Tcase=25 ℃

75

W

Tj

Junction Temperature

150

Tstg

Storage Temperature Range

-55-150




Caratteristiche elettriche (TC = 25 ° C, se non diversamente specificato)

Symbol

Parameter

Test Condition

Value

Unit

Min

Type

Max

VCBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -10mA

-70

 

 

V

VCEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -200mA

-60

 

 

V

VEBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= -10mA

- 5

 

 

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -70V

 

 

1

mA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -5V

 

 

5

mA

hFE

DC Current Gain

IC= -4A,VCE= -4V

20

 

100

 

VCE(sat)

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -4A,IB= -0.4A

 

 

-1.1

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -4A,IB= -4A

 

 

-1.8

V

fT

Transition Frequency

VCE=10V, IC=0.5A f=1MHZ

2

 

 

MHZ

aPulse Testtp ≤300usδ≤2%

Pacchetto meccanico DATI

MJE2955T Complementary to MJE3055T TO220


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