YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)> Tabella Processo di passione in vetro 600V BT152-600R TO-220 SCR
Tabella Processo di passione in vetro 600V BT152-600R TO-220 SCR
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$0.154000-19999 Piece/Pieces

$0.13≥20000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Express,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BT152-600R-2326

marchioYzpst

Place Of OriginChina

IT (RMS)20A

VRRM600V

IT(AV)13A

ITSM200A

IGM4A

PGM5W

PG(AV)1W

Tstg-40--+150℃

Tj-40--+125℃

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
SCR BT152-600R TO220
Descrizione del prodotto

BT152-600R/800R

YZPST-BT152-600R

● Caratteristiche del prodotto
Struttura a quattro strati NPNP Dispositivo unilaterale di silicio,
P+ sull'isolamento di diffusione attraverso attraverso
Struttura singola Mesa (singolo MESA),
Processo di passivazione del vetro del tavolo,
Il back (anodo) elettrodo metal: ti-n-ag
L'alta capacità dell'attuale resistenza allo shock
● Gli scopi principali
Interruttore di corrente alternante,
Convertitore di potenza AC DC,
Il controllo del riscaldamento elettrico
Controllo della velocità del motore
● Pacchetto
TO-220M1 TO-220F

YZPST-BT152-600R(4)

Funzione principale (TJ = 25 ℃)

Symbol Value Unit
IT (RMS) 20 A
VDRM   VRRM 600/800 V
IGT 200 uA

Valutazioni assolute (valori limitanti)

Symbol Parameter Value Unit
IT (RMS) RMS on-state current (180 °conduction angle) 20 A
IT(AV) AV on-state current (180 °conduction angle) 13 A
ITSM Non repetitive surge peak on-state 200 A
Current (tp=10ms)
IGM Peak gate current(tp=20us) 4 A
PGM Peak gate power 5 W
PG(AV) Average gate power 1 W
Tstg Storage temperature 110
Tj Operating junction temperature 85

Resistenze Thermai

Symbol Parameter Value Unit
TO-220M1 2.2
Rth (j-c) Junction to case TO-220F 2.5 /W

Caratteristiche elettriche (TJ = 25 ℃ se non diversamente indicato)

Symbol Test Conditions Value Unit
Min Type Max
IGT VD=12V, RL=33Ω ---- 5 25 mA
VGT VD=12V, RL=33Ω ----- ----- 1.3 V
VGD VD=VDRMRL=3.3KΩRGK=1KΩ,Tj=125℃ 0.2 ----- ----- V
IH IT=500mA ----- ----- 30 mA
IL IG=1.2IGT ----- ----- 60 mA
dV/dt VD=67%VDRMGateOpen Tj=110℃ 500 v/ μs
----- -----
VTM IT=30A,tp=380 μs ----- ----- 1.6 V
dI/dt IG=2IGT 50 ----- ----- A/μs
I2T Tp=10ms ----- ----- 200 A2S
Tj=25℃ ----- ----- 10 μA
IDRM VD=VDRM Tj=125℃ ----- ----- 1 mA
Tj=25℃ ----- ----- 10 μA
IRRM VR=VRRM Tj=125℃ ----- ----- 1 mA

Misura del pacchetto
((A-220f))
BT152-600R TO220

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苏ICP备05018286号-1
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