DCR1020SF60 Thyristor ad alta potenza 6000V

    Prezzo unitario: USD 120 / Piece/Pieces
    Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Quantità di ordine minimo: 20 Piece/Pieces
    Termine di consegna: 30 giorni

Informazioni basilari

Modello: YZPST-DCR1020SF60

Additional Info

Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

produttività: 100

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: Cina

Abilità del rifornimento: 500

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85413000

Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Tiristori per il controllo dell'alimentazione

YZPST-DCR1020SF60


Caratteristiche:

. Tutta la struttura diffusa

. Configurazione del gate di amplificazione centrale

. Capacità di blocco fino a 4200 volt

. Tempo massimo di consegna garantito

. Elevata capacità dV / dt

. Dispositivo assemblato a pressione





CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

Blocco - Off State

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

6000~6500

6000~6500

6100~6600

V RRM = Tensione inversa del picco ripetitivo

V DRM = Tensione di stato di picco di ripetizione

V RSM = tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

25 mA

150 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Gli appunti:

Tutti i rating sono specificati per Tj = 25 oC a meno che

diversamente indicato.

(1) Tutti i valori di tensione sono specificati per un applicato

Forma d'onda sinusoidale 50Hz / 60zHz su

intervallo di temperatura da -40 a +125 ° C.

(2) 10 msec. max. larghezza di impulso

(3) Valore massimo per Tj = 125 oC.

(4) Valore minimo per lineare ed esponenziale

forma d'onda all'80% di VDRM valutato. Cancello aperto.

Tj = 125 oC.

(5) Valore non ripetitivo.

(6) Il valore di di / dt è stabilito in accordo

con EIA / NIMA Standard RS-397, Sezione

5-2-2-6. Il valore definito sarebbe in aggiunta

a quello ottenuto da un circuito snubber,

comprendente un condensatore da 0,2 F e 20 ohm

resistenza in parallelo con il thristor sotto

test.



Conducendo - su stato

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

640

A

Sinewave,180o conduction,Tc=60oC

RMS value of on-state current

ITRMS

1005

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

8.5

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

0.36x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

600

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

200

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

3.6

V

ITM = 1800 A; Duty cPSTCle £ 0.01%; Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

100

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

150

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Dinamico

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

-

0.5

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

600

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Per max. Garantito valore, contattare la fabbrica.

CARATTERISTICHE E VALUTAZIONI TERMICHE E MECCANICHE

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+125

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.022

0.052

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

0.004

0.008

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to sink

RQ (j-s)

-

-

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

18

22

kN

Weight

W

-

g

* Le superfici di montaggio sono lisce, piatte e unte

Conducendo - su stato

Kk200a4000vthyristor 4

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1




Elenco prodotti : Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Trifase di controllo di fase

Immagine prodotto

  • DCR1020SF60 Thyristor ad alta potenza 6000V
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