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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristori con controllo di fase 320A ad alta capacità dV / dt
Tiristori con controllo di fase 320A ad alta capacità dV / dt
Tiristori con controllo di fase 320A ad alta capacità dV / dt
Tiristori con controllo di fase 320A ad alta capacità dV / dt

Tiristori con controllo di fase 320A ad alta capacità dV / dt

Prezzo unitario: USD 39 - 45 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 2 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni
Scaricare:

Informazioni basilari

    Modello: YZPST-T171-320-10

    ITAV: 320A

    ITRMS: 502A

    ITSM: 7kA

    IL: 700mA

    IH: 300mA

Additional Info

    produttività: 200

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 500

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Tiristori a controllo di fase

YZPST-T171-320-10

Caratteristiche

Configurazione del gate di amplificazione centrale

Incapsulamento a compressione

Alta capacità dV / dt

Tipo di perno, pollice filettato o metrico

Applicazioni tipiche

Commutazione media potenza

Alimentatori CC

Valutazioni e caratteristiche massime

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

ON-STATE

 

 

 

ITAV

Mean on-state current

320

A

Sinewave,180° conduction,Tc=84oC

ITRMS

RMS value of on-state current

502

A

Nominal value

ITSM

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

7

kA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I2t

I square t

240

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

IL

Latching current

700

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

IH

Holding current

300

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

VTM

Peak on-state voltage

1.6

V

ITM = 1005 A

di/dt

Critical rate of rise

of on-state current

non-repetitive

1000

A/ms

Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM

repetitive

-

BLOCKING

 

 

 

VDRM

VRRM

Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse voltage

1000

V

 

VDSM

VRSM

Non repetitive peak off state voltage

Non repetitive peak reverse voltage

1100

V

 

IDRM

IRRM

Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse  current

70

mA

Tj = 100 oC ,VRRM VDRM applied

dV/dt

Critical rate of voltage rise

500

V/ms

TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM

TRIGGEING

 

 

 

PG(AV)

Average gate power dissipation

3

W

 

PGM

Peak gate power dissipation

-

W

 

IGM

Peak gate current

6

A

 

IGT

Gate trigger current

250

mA

TC = 25 oC

VGT

Gate trigger voltage

2.5

V

TC = 25 oC

VGD

Gate non-trigger voltage

0.6

V

Tj = 125 oC

VT0

 

1.006

V

Tj = 125 oC

rT

 

0612

 

SWITCHING

 

 

 

tq

Turn-off time

125

ms

ITM=320A, TJ=TJmax, di/dt=10A/μs,

VR=100V,dv/dt=50V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs

td

Delay time

-

Gate current A, di/dt=40A/μs,

Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC

Termico E Meccanico

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

Tj

Operating temperature

-40~125

oC

 

Tstg

Storage temperature

-40~125

oC

 

R th (j-c)

Thermal resistance - junction to case

0.085

oC/W

DC operation Single sided cooled

R th (c-s)

Thermal resistance - case to sink

-

oC/W

Single sided cooled

P

Mounting force

-

Nm

± 10 %

W

Weight

440

g

about


CONTORNO

YZPST-T171-320-10


Elenco prodotti : Dispositivi a semiconduttore (tipo a capsula) > Trifase di controllo di fase

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