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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo di fase 1600V
Tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo di fase 1600V
Tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo di fase 1600V

Tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo di fase 1600V

Prezzo unitario: USD 250 - 350 / Piece/Pieces
Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantità di ordine minimo: 1 Piece/Pieces
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-KP4350A1600V

    VRRM: 1600V

    VDRM: 1600V

    I RRM /I DRM: 450A

    I T(AV): 4350A

    IL: 1000mA

Additional Info

    Pacchetto: 1. Imballaggio antielettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

    produttività: 100

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 1000

    Certificati : ISO9000

    Codice SA: 85413000

    Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto


Tiristore ad alta potenza per applicazioni di controllo di fase

YZPST-KP4350A1600V


Caratteristiche:

. Tutta la struttura diffusa

. Configurazione del gate di amplificazione lineare

. Capacità di blocco fino a 16 00 volt

. Tempo di spegnimento massimo garantito

. Alta capacità dV / dt

. Dispositivo assemblato a pressione

CARATTERISTICHE ELETTRICHE E VALUTAZIONI

Blocco - Stato spento

Device Type

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

KP4350A

  1600

  1600

  1700

V RRM = Tensione inversa di picco ripetitiva

V DRM = Tensione ripetitiva di picco disattivata

V RSM = Tensione inversa di picco non ripetitiva (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

 

450 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

300 V/msec

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

  4350

 

A

Sinewave,180o conduction,TS=70oC

Peak one cpstcle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

48900

  

 

A

 

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

11.9x106

 

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

 

     1000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

     450

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

     1.5

 

V

ITM = 6000 A; Duty cpstcle £ 0.01%

Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5)

di/dt

 

      200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

200

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

15

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

30

300

200

125

 

mA

mA

mA

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +25 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

0.30

5

3

 

 

V

V

V

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = -40 oC

VD = 12 V;RL = 6 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

15

 

V



SCHEMA E DIMENSIONI DEL CASO.

YZPST-KP4350A1600V



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