YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> BIE Direzioni THIRISTOR (TRIAC)> 600V BTA16-600BW TRIAC con elevate prestazioni di commutazione
600V BTA16-600BW TRIAC con elevate prestazioni di commutazione
600V BTA16-600BW TRIAC con elevate prestazioni di commutazione
600V BTA16-600BW TRIAC con elevate prestazioni di commutazione
600V BTA16-600BW TRIAC con elevate prestazioni di commutazione
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600V BTA16-600BW TRIAC con elevate prestazioni di commutazione

600V BTA16-600BW TRIAC con elevate prestazioni di commutazione

$0.165000-19999 Piece/Pieces

$0.13≥20000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Express,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BTA16-600BW

marchioYzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)16A

VDRM600V

VRRM600V

VTM≤ 1.5v

Tstg-40~150℃

Tj-40~150℃

ITSM160A

I2t128A2s

DI/dt50A/μs

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
TRIAC BTA16-600BW TO220
Descrizione del prodotto

BTA 1 6/ BTB 16 (Bt 13 9) Serie 16 Atriacs

YZPST-BTA16-600BW


Descrizione :


Con l'elevata capacità di resistere al carico di shock di una grande corrente, i triaci della serie BTA16/BTB16 forniscono un elevato tasso DV/DT con una forte resistenza all'interfaccia elettromagnetica.

Con alte prestazioni di commutazione, 3 quadranti produttori in particolare raccomandati per l'uso sul carico induttivo. Da tutti e tre i terminali al dissipatore di calore esterno, BTA16 fornisce una tensione di isolamento nominale di 2500 VRMS conforme agli standard UL

YZPST-BTB16-600B-1


Caratteristiche principali :

symbol

value

unit

IT(RMS)

16

A

VDRM/VRRM

600/800/ 1200

V

VTM

≤ 1.5

V

Valutazioni massime assolute :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C)

VDRM

600/800/ 1200

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C)

VRRM

600/800/ 1200

V

RMS on-state current

IT(RMS)

16

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycleF=50Hz)

ITSM

160

 A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

128

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT)

dI/dt

50

A/μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

Caratteristiche elettriche (TJ = 25C ​​se non diversamente specificato)

3 quadranti

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 A
VGT RL=33Ω - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM - MIN 0 2 V
IH IT=100mA MAX 15 25 40 60 A
- 20 30 50 70 m
IL IG=1.2IGT MAX 25 40 60 90 A
VD=2/3VDRM   Tj=125Gate open
dV/dt MIN 100 200 500 1000 Vs

4 quadranti

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- 25 50 A
IGT VD=12V, 50 70 A
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 40 60 A
- 50 70 m
IL IG=1.2IGT MAX 70 90 A
VD=2/3VDRM   Tj=125Gate open
dV/dt MIN 200 500 Vs

Caratteristiche statiche

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=22.5A   tp=380μs Tj=25C MAX 1.5 V
IDRM Tj=25C 5 A
IRRM VDRMVRRM Tj=125C MAX 1 A

Resistenze termiche


Symbol Test Condition Value Unit
Rth(j-c) TO-220A(Ins) 2.1 /W
TO-220B(Non-Ins) 1.3
TO-220F(Ins) 2.3
junction to case(AC) TO-263 2.4

INFORMAZIONI SULL'ORDINE
YZPST-BTB16-600B-2
Dati meccanici del pacchetto
YZPST-BTB16-600B


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