Componenti elettronici Triac BTA12

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    Incoterm: FOB,CFR,CIF
    Termine di consegna: 30 giorni

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Informazioni basilari

Modello: YZPST-BTA12

Additional Info

Pacchetto: 1. Imballaggio anti-elettrostatico 2. Scatola di cartone 3. Imballaggio protettivo in plastica

produttività: 1000

marchio: YZPST

Trasporti: Ocean,Air

Luogo di origine: Cina

Abilità del rifornimento: 10000

Certificati : ISO9001-2008,ROHS

Codice SA: 85413000

Porta: SHANGHAI

Descrizione del prodotto

BTA12 Serise Triacs

YZPST-BTA12 TO-220AB


Caratteristica dei componenti elettronici Triac BTA12: la struttura del grilletto sensibile del terzo quadrante. Diffusione e tecnologia passivata del vetro . Garantire l'affidabilità e l'uniformità delle specifiche. Abbinare le specifiche del gate appropriate come requisiti di temperatura elevata. La migliore corrispondenza per comunicare capacità e sensibilità del cancello.


Applicazione principale

* Interruttore dell'aspirapolvere della lavabiancheria.

* Apparecchiature di controllo motore AC.

BTA12 Serise Triacs YZPST-BTA12 TO-220AB

* Commutazione del carico induttivo.


Outline e pin array

* TO-220



BTA12 Serise Triacs YZPST-BTA12 TO-220AB



█ Valore della frequenza (a meno che non ci siano spettacoli speciali, T j = 25 )


          Description

symbol

value

unit

Repetitive paek off-state voltage

(Tj= −40 ~125)

Half sine wave 50Hz, gate open

-600

VDRM

VRRM

 

 

600

600

 

V

Nominal RMS on-state current

Full sine wave 50 Hz

IT(RMS)

12

A

Non-repetitive peak surge current

  (junction temperature Tj =25)

One cycle 50 Hz

ITSM

120

A

Fuse current

(t = 10 ms)

I2t

78

A2s

Gate average power

(TC =80, t = 10 ms)

PG(AV)

1

W

Gate peak current

(t2.0μs)

IGM

4

A

Work junction temperature

TJ

-40~125

Storage temperature

Tstg

-40~150


█ Caratteristiche termiche

Description

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance  ( junction to arround )

Rj A

60

°C/W


█ Caratteristiche elettromagnetiche (a meno che spettacoli speciali T j = 25 )


Description   

Symbol

Min

Type

Max

Unit

Repetitive paek off-state current

(VD = Rated VDRM,VRRM gate open )             

                           Tj = 125

IDRM, IRRM

1

mA

Peak on-state Voltage

(IT =12A)

VT

1.4

1.6

V

Gate trigger current

(VD = 12 V, RL =30Ω)

MT2(+), G(+)

MT2(+), G(−)

MT2(−), G(−)

-CW

MT2(+), G(+)

MT2(+), G(−)

MT2(−), G(−)

                       -BW

IGT

35

35

35

50

50

50

mA

Gate trigger voltage

(VD = 12 V, RL =30Ω)

MT2(+), G(+)

MT2(+), G(−)

MT2(−), G(−)

                All serises

VGT

1.5

1.5

1.5

 

V

Gate non-trigger voltage

(VD = VDR, RL =3.3KΩ,Tj =125)

                         All serises

VGD

0.2

V

Hold current

  (Candution current  IT=200mA)

IH

 −

50

mA













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Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Bi Directions Thyristor (Triac)

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