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Sigillanti siliconici transistor BTC24 triac 24amp
Sigillanti siliconici transistor BTC24 triac 24amp
Sigillanti siliconici transistor BTC24 triac 24amp

Sigillanti siliconici transistor BTC24 triac 24amp

Tipo di pagamento: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Termine di consegna: 30 giorni
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Informazioni basilari

    Modello: YZPST-BTB24

Additional Info

    produttività: 1000

    marchio: YZPST

    Trasporti: Ocean,Air

    Luogo di origine: Cina

    Abilità del rifornimento: 10000

    Certificati : ISO9001-2008,ROHS

    Codice SA: 85413000

    Porta: Shanghai

Descrizione del prodotto

Triac

YZPST-BTB24

Triac Ci sono tre modi principali per fissare il tiristore bidirezionale al radiatore: serraggio, bullonatura e chiodatura.


Pacchetto

TO-220AB

Caratteristica principale (Tj = 25 )

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

24

A

VDRM / VRRM

800

V

ITSM

240

A

BTB24 Triac 24amp Transistors

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT(RMS)

Rms on-state current(full sine wave)

24

A

ITSM

Non- repetitive Peak on-state

Current (Tj=25℃,tp=20ms)

240

A

I2t

I2t  for fusing(tp=10ms)

200

A2S

IGM

Peak gate current

5

A

VGM

Peak gate voltage

16

V

PGM

Peak gate power

40

W

PG(AV)

Average gate power

1

W

dIT/dt

Repetitive rate of rise of on-state current after triggering
(IT=6A,IG=0.2A,dlG/dt=0.2A/us)

--

50

A/μs

IV

50

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+150

-40--+125













* Resistenze di Thermai


Symbol

Parameter

Condition


Type

Unit

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to case

One cycle

BTA

2.1

℃/W

BTB

1.2

℃/W

Rth j-a

Thermal Resisatance,Junction to ambient

----

--

60

℃/W

* Caratteristiche elettriche (Tj = 25 ℃ se non diversamente specificato)

Symbol

Conditions

Type

Max

Unit

IGT

 

  BTB24

VD=12V  IT=0.1A

   T2+ G+

   T2+ G-

   T2- G-



11

15

20



18

30

30



mA

mA

mA

IH

VD=12V IGT=0.1A


50

mA

VTM

IT=24A

-1.25-

1.5

V

I DRM

V DRM=800V


10

μA

IRRM

VRRM=800V


15

μA

VGT

VD=12V  IT=0.1A

Tj=125℃

--


1.5

V

ID

VD=VDRM(MAX)

Tj=125℃

--

0.5

mA


* Caratteristiche dinamiche ( Tj = 25 se non diversamente indicato )

Symbol

Test Conditions

Type

Min

Max

Unit

dV/dt


VDM=67%VDm(MAX)

Tj=125℃

500


250



--



V/μs

(dV/dt)c

(dI/dt)c=7A/ms  Tj=125℃


--


10




μs

Triac YZPST-BTB24 Triac YZPST-BTB24

Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Bi Directions Thyristor (Triac)

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