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Home > Elenco prodotti > Pacchetto di plastica a semiconduttore > Bi Directions Thyristor (Triac) > Regolatore di tensione triac a commutazione induttiva BTA25
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Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
---|---|
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Termine di consegna: | 30 giorni |
Informazioni basilari
Modello: YZPST-BTA25
Additional Info
produttività: 1000
marchio: YZPST
Trasporti: Ocean,Air
Luogo di origine: Cina
Abilità del rifornimento: 10000
Certificati : ISO9001-2008,ROHS
Codice SA: 85413000
Porta: Shanghai
Descrizione del prodotto
BTA 25 Serise Triacs
YZPST- BTA25
█ Funzionalità
◆ La struttura del grilletto sensitine del terzo quadrante,
La migliore corrispondenza per la capacità di commutazione e la sensibilità del cancello.
◆ Tecnologia di diffusione e passivazione del vetro.
Garantire l'affidabilità e l'uniformità delle specifiche.
◆ Abbinare le specifiche del cancello appropriato come requisito di temperatura elevata.
█ Applicazione principale
◆ Interruttore dell'aspirapolvere della lavabiancheria.
◆ Apparecchiature di controllo motore AC.
◆ Commutazione del carico induttivo.
█ Profilo e pin array
TO-220
█ Valore della frequenza (a meno che non ci siano spettacoli speciali, Tj = 25 ℃)
Description |
symbol |
value |
unit |
Repetitive paek off-state voltage (Tj= −40 ~125℃) Half sine wave 50Hz, gate open
-600
|
VDRM VRRM |
600 600
|
V |
Nominal RMS on-state current Full sine wave 50 Hz |
IT(RMS) |
25 |
A |
Non-repetitive peak surge current (junction temperature Tj =25℃) One cycle 50 Hz |
ITSM |
250 |
A |
Fuse current (t = 8.3 ms) |
I2t |
340 |
A2s |
Gate average power (TC =80℃, t = 8.3 ms) |
PG(AV) |
1 |
W |
Gate peak current (t≤2.0μs) |
IGM |
4 |
A |
Work junction temperature |
TJ |
-40~125 |
℃ |
Storage temperature |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
█ Caratteristiche termiche
Description |
Symbol |
Max |
Unit |
Thermal resistance ( junction to arround ) |
Rj A |
60 |
°C/W |
█ Caratteristiche elettriche (a meno che spettacoli speciali T j = 25 ℃ )
Description |
Symbol |
Min |
Type |
Max |
Unit |
Repetitive paek off-state current (VD = Rated VDRM,VRRM gate open ) Tj = 125℃ |
IDRM, IRRM |
−
|
−
|
3
|
mA |
Peak on-state Voltage (IT =25A) |
VT |
− |
1.45 |
1.65 |
V |
Gate trigger current (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -CW
MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -BW
|
IGT |
− − −
− − −
|
− − −
− − −
|
35 35 35
50 50 50
|
mA |
Gate trigger voltage (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) All serises
|
VGT |
− − −
|
− − −
|
1.3 1.3 1.3
|
V |
Gate non-trigger voltage (VD = VDR, RL =3.3KΩ,Tj =125℃) All serises |
VGD |
0.2 |
− |
− |
V |
Hold current (Candution current IT=100mA) |
IH |
− |
− |
75 |
mA |
Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Bi Directions Thyristor (Triac)
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