YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> BIE Direzioni THIRISTOR (TRIAC)> 800V BT139B-800 16A TRIAC Adatto per la commutazione CA per scopi generici
800V BT139B-800 16A TRIAC Adatto per la commutazione CA per scopi generici
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800V BT139B-800 16A TRIAC Adatto per la commutazione CA per scopi generici

$0.173000-9999 Piece/Pieces

$0.14≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-BT139B-800

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VRRM800V

IT(RMS16A

ITSM140A

I2t98A2S

IGM2A

PG(AV)0.5W

PGM5W

VDRM600V

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
TRIAC BT139B-800 TO-263
Descrizione del prodotto

P/N: YZPST-BT139 Serie 16A TRIAC

800V BT139B-800 16A TRIAC Adatto per la commutazione CA per scopi generici

Descrizione:
Alta densità di corrente dovuta alla tecnologia MESA; passione di vetro.
Applicazioni
La serie BT139 TRIACS è adatta per la commutazione CA per scopi generici.
Possono essere usati come funzione on/off in applicazioni come
Come relè statici, regolazione del riscaldamento, motore a induzione che indica i circuiti ...
o per il funzionamento della fase Dimmer di luce, controller di velocità del motore.
Caratteristiche:
Tensione di blocco a 600 e 800V
RMS on-State Currente a 16A
Picco non ripetitivo Corrente sullo stato a 140A

YZPST-BT139B-800
Valutazioni massime assolute

Symbol Parameter Conditions Value Unit
VDRM Repetitive peak off-state voltage     TJ=25℃ 600 & 800      V
VRRM Repetitive peak Reverse voltage TJ=25    600 & 800 V
IT(RMS) RMS on-state current (full sine wave) Tc=99    16 A
Non-repetitive surge peak On-state current (full cycle,Tj=25  tp=20ms 140 A
ITSM A
I2t I2t Value for fusing tp=10ms 98 A2S
IGM Peak gate current 2 A
PG(AV) Average gate power dissipation tp=20µs, TJ=125    0.5 W
PGM Peak gate power dissipation tp=10ms, TJ=125    5 W
TSTG Storage temperature -40               150   
TJ Junction temperature -40               125   


caratteristiche elettriche

Symbol Parameter Numerical Unit
VTM IT=15A,tp=380µs    TJ=25 ℃  1.65 V
IDRM VD=VDRM,VR=VRRM TJ=25  5 µA
IRRM VD=VDRM,VR=VRRM TJ=125  1 mA

Dimensioni del profilo del pacchetto

TO-263

TO-263


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苏ICP备05018286号-1
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