| Tipo di pagamento: | L/C,T/T,Paypal |
|---|---|
| Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
| Termine di consegna: | 30 giorni |
Modello: YZPST-BTB12
produttività: 1000
marchio: YZPST
Trasporti: Ocean,Air
Luogo di origine: Cina
Abilità del rifornimento: 10000
Certificati : ISO9001-2008,ROHS
Codice SA: 85413000
Porta: SHANGHAI
BTB12 Serise Triacs
YZPST-BTB12 TO-220AB
Caratteristica dei componenti elettronici Triac BTA12: la struttura del grilletto sensibile del terzo quadrante. Diffusione e tecnologia passivata del vetro . Garantire l'affidabilità e l'uniformità delle specifiche. Abbinare le specifiche del gate appropriate come requisito di temperatura elevata. La migliore corrispondenza per comunicare capacità e sensibilità del cancello.
Applicazione principale
* Interruttore dell'aspirapolvere della lavabiancheria.
* Apparecchiature di controllo motore AC.
* Commutazione del carico induttivo.
Outline e pin array
* TO-220
█ Valore della frequenza (a meno che non ci siano spettacoli speciali, T j = 25 ℃ )
|
Description |
symbol |
value |
unit |
|
Repetitive paek off-state voltage (Tj= −40 ~125℃) Half sine wave 50Hz, gate open
-600
|
VDRM VRRM |
600 600
|
V |
|
Nominal RMS on-state current Full sine wave 50 Hz |
IT(RMS) |
12 |
A |
|
Non-repetitive peak surge current (junction temperature Tj =25℃) One cycle 50 Hz |
ITSM |
120 |
A |
|
Fuse current (t = 10 ms) |
I2t |
78 |
A2s |
|
Gate average power (TC =80℃, t = 10 ms) |
PG(AV) |
1 |
W |
|
Gate peak current (t≤2.0μs) |
IGM |
4 |
A |
|
Work junction temperature |
TJ |
-40~125 |
℃ |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40~150 |
℃ |
█ Caratteristiche termiche
|
Description |
Symbol |
Max |
Unit |
|
Thermal resistance ( junction to arround ) |
Rj A |
60 |
°C/W |
█ Caratteristiche elettriche (a meno che non ci siano spettacoli speciali T j = 25 ℃ )
|
Description |
Symbol |
Min |
Type |
Max |
Unit |
|
Repetitive paek off-state current (VD = Rated VDRM,VRRM gate open ) Tj = 125℃ |
IDRM, IRRM |
−
|
−
|
1
|
mA |
|
Peak on-state Voltage (IT =12A) |
VT |
− |
1.4 |
1.6 |
V |
|
Gate trigger current (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -CW
MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) -BW
|
IGT |
− − −
− − −
|
− − −
− − −
|
35 35 35
50 50 50
|
mA |
|
Gate trigger voltage (VD = 12 V, RL =30Ω) MT2(+), G(+) MT2(+), G(−) MT2(−), G(−) All serises
|
VGT |
− − −
|
− − −
|
1.5 1.5 1.5
|
V |
|
Gate non-trigger voltage (VD = VDR, RL =3.3KΩ,Tj =125℃) All serises |
VGD |
0.2 |
− |
− |
V |
|
Hold current (Candution current IT=200mA) |
IH |
− |
− |
50 |
mA |
Elenco prodotti : Pacchetto di plastica a semiconduttore > Bi Directions Thyristor (Triac)
Mr. John chang