YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Casa> Elenco prodotti> Pacchetto di plastica a semiconduttore> Raddrizzatore controllato al silicio (SCR)> ALTA VITA DV/DT TO-126 600V 2P4M 2A SCR
ALTA VITA DV/DT TO-126 600V 2P4M 2A SCR
ALTA VITA DV/DT TO-126 600V 2P4M 2A SCR
ALTA VITA DV/DT TO-126 600V 2P4M 2A SCR
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ALTA VITA DV/DT TO-126 600V 2P4M 2A SCR

ALTA VITA DV/DT TO-126 600V 2P4M 2A SCR

$0.11000-9999 Piece/Pieces

$0.07≥10000Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Express,Others
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-2P4M 10-30UA

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

IT(RMS)2.0A

IGT≤200μA

VDRM600V

VRRM600V

Tstg-40~150℃

Tj-40~110℃

ITSM20A

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Scaricare :
SCR 2P4M 10-30UA TO126CU
Descrizione del prodotto

2p4m 2 a Sensibile SCRS


DESCRIZIONE:
La serie 2P4m 2A SCR fornisce una velocità DV/DT elevata
con una forte resistenza all'interfaccia elettromagnetica.
Sono particolarmente raccomandati per l'uso su residuo
Interruttore di circuito corrente, capelli lisci, accensione ecc.
YZPST-2P4M 10-30UA



PRINCIPALE CARATTERISTICHE:

symbol

value

unit

IT(RMS)

2.0

A

IGT

≤200

μA

VDRM/VRRM

600

V

ASSOLUTO MASSIMO GIUDIZI:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~110

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

2

A

Non repetitive surge peak on-state current

(full cycle, F=50Hz)

ITSM

20

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

2

A2s

Critical rate of rise of on-state current (IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

0.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.1

W

Peak gate power

PGM

0.5

W

CARATTERISTICHE ELETTRICHE (TJ = 25 ℃ se non diversamente specificato)

Symbol Value
Test Condition MIN TYPE MAX Unit
IGT VD=12V, RL=33Ω - 50 200 μA
VGT - 0.6 0.8 V
VGD VD=VDRM Tj=110 0.2 - - V
IH IT=50mA - - 5 mA
IL IG=1.2IGT - - 6 mA
dV/dt VD=2/3×VDRM   Tj=110 RGK=1KΩ 20 - - V/ µs

Caratteristiche statiche

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=4A   tp=380μs Tj=25 MAX 1.5 V
IDRM VD=VDRM= VRRM RGK=1KΩ Tj=25 MAX 5 µA
IRRM Tj=110 0.1 mA
PACCHETTO MECCANICO DATI
YZPST-2P4M TO-126


苏ICP备05018286号-1
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