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Capacità ad alta cortocircuito 650V Modulo di potenza IGBT 200A
Capacità ad alta cortocircuito 650V Modulo di potenza IGBT 200A
Capacità ad alta cortocircuito 650V Modulo di potenza IGBT 200A
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Capacità ad alta cortocircuito 650V Modulo di potenza IGBT 200A
Capacità ad alta cortocircuito 650V Modulo di potenza IGBT 200A

Capacità ad alta cortocircuito 650V Modulo di potenza IGBT 200A

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-SKM195GB066D

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VCES650V

IC200A

ICRM400A

VGE± 20 V.

Ptot695W

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
Esempio immagine :
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Modulo IGBT SKM195GB066D
Descrizione del prodotto

Tipo di modulo di potenza IGBT: YZPST-SKM195GB066D

Applicazioni

Inverter per l'unità del motore

Amplificatore AC e DC Servo Drive

UPS (alimentatori non interruplibili)

Welding Maching Switching soft

Caratteristiche

Basso VCE (SAT) con tecnologia di stop field di trincee

VCE (SAT) con coefficiente di temperatura positivo

Compreso FWD anti-parallelo recupero veloce e morbido

Elevata capacità di corto circuito (10us)

Struttura del modulo a bassa induttanza

Temperatura di giunzione massima 175 ℃

IGBT

Assoluto Massimo Valutazioni

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

650

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

200

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

400

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

695

W

Caratteristiche IGBT

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3.2mA,Tvj=25 5.1 5.8 6.3 V
    VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25     1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125     5 mA
Collector-Emitter   Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25   1.45 1.95 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125   1.65   V
Input Capacitance Cies VCE=25V,VGE =0V,   12.3   nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25   0.37   nF
Internal Gate Resistance Rgint     1   Ω
Turn-on Delay Time td(on)     48   Ns
 
Rise Time tr IC =200 A   48   Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE =300 V   348   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   58   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 3.6Ω   2.32   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25   5.85   mJ
Turn-on Delay Time td(on)     48   Ns
 
 
Rise Time tr IC =200 A   48   Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 300V   364   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   102   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =3.6Ω   3.08   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125   7.92   mJ
SC Data Isc Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150 , Vcc=300V,VCEM≤650V   1000   A

Caratteristiche del diodo

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Diode DC Forward Current IF Tc=100   200   A
Diode Peak Forward Current IFRM     400   A
    IF=200A,Tvj=25   1.55 1.95 V
Forward Voltage VF IF=200A,Tvj=125   1.5   V
Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Recovered Charge Qrr     8.05   uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us   148   A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25   1.94   mJ
Recovered Charge Qrr     16.9   uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us   186   A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125   3.75   mJ

Modulo caratteristiche stics t c = 25 ° C se non diversamente specificato

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum Junction Temperature Tjmax       150
Operating Junction Temperature Tvj op   -40   125
Storage Temperature Tstg   -40   125
    per IGBT-inverter     0.19 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter     0.31 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied   0.085   K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5   5 N · m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3   5 N · m
Weight of Module G     150   g

Pacchetto Dimensioni

YZPST-SKM195GB066D Package Dimensions

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