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YZPST 1200V 150B120F23 Modulo di potenza IGBT
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$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

Tipo di pagamento:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Trasporti:Ocean,Land
Porta:SHANGHAI
Caratteristiche del prodotto

ModelloYZPST-150B120F23

marchioYzpst

Luogo D'origineCina

VCE1200v

IC150A

ICRM300A

VGE± 20 V.

Ptot968W

Confezionamento e consegna
Unità vendibili : Piece/Pieces
Tipo pacchetto : 1. Packaging antielettrostatico 2. Casella di cartone 3. Braccia
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Modulo IGBT 1200V150A 150B120F23
Descrizione del prodotto
Modulo di potenza IGBT YZPST-150B120F23
VCE = 1200V IC = 150A
Applicazioni
Inverter per l'unità del motore
Amplificatore AC e DC Servo Drive
UPS (alimentatori non interruplibili)
Welding Maching Switching soft
Caratteristiche
Basso VCE (SAT) con tecnologia di stop field di trincee
VCE (SAT) con coefficiente di temperatura positivo
Compreso FWD anti-parallelo recupero veloce e morbido
Elevata capacità di corto circuito (10us)
Struttura del modulo a bassa induttanza

Temperatura di giunzione massima 175 ℃

IGBT

Assoluto Massimo Valutazioni

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

968

W

Caratteristiche IGBT

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25 5.2 6 6.8 V
    VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25     1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125     5 mA
Collector-Emitter   Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25   1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125   2   V
Input Capacitance Cies     9.8   nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V,   0.82   nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25   0.48   nF
Internal Gate Resistance Rgint     2.5   Ω
Turn-on Delay Time td(on)     185   Ns
 
Rise Time tr IC =150 A   55   Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V   360   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   115   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω   15.4   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25   11.6   mJ
Turn-on Delay Time td(on)     200   Ns
 
 
Rise Time tr IC =150 A   60   Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V   420   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   120   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω   23.2   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125   17   mJ
    Tp≤10us,VGE=15V,        
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 500 A
    VCEM≤1200V    

Caratteristiche del diodo

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Diode DC Forward Current IF Tc=100   150   A
Diode Peak Forward Current IFRM     300   A
    IF=150A,Tvj=25   1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125   1.85   V
Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Recovered Charge Qrr     13.4   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   143   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   160   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25   9.1   mJ
Recovered Charge Qrr     26.1   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   178   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   440   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125   15.4   mJ

Caratteristiche del modulo T c = 25 ° C se non diversamente specificato

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum Junction Temperature Tjmax       150
Operating Junction Temperature Tvjop   -40   125
Storage Temperature Tstg   -40   125
    per IGBT-inverter     0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter     0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied   0.05   K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5   5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3   5 N·m
Weight of Module G     150   g

Pacchetto Dimensioni

YZPST-150B120F23 Dimensions

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